Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Eletrônica

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W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Eletrônica

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Número do modelo :W631GG8KB-11
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR3
Tamanho de memória :1Gbit
Organização da memória :128M x 8
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :933 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-
Tempo de acesso :20 ns
Voltagem - Fornecimento :1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :78-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :78-WBGA (10.5x8)
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Detalhes do produto

Descrição geral

O W631GG6KB é uma 1G bits DDR3 SDRAM, organizado como 8,388,608 palavras x 8 bancos x 16 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) para várias aplicações. W631GG6KB é classificado nos seguintes graus de velocidade: -11,- Doze, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A e 15K. O grau de velocidade -11 é conforme com a especificação DDR3-1866 (13-13-13).As classes de velocidade 12A e 12K cumprem as especificações DDR3-1600 (11-11-11) (a classe industrial 12I que é garantida para suportar -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)Os níveis de velocidade -15, 15I, 15A e 15K são conformes com a especificação DDR3-1333 (9-9-9) (o grau industrial de 15I que é garantido para suportar -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).

Características

¢ Fornecimento de energia: VDD, VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
Arquitetura de taxa de dados dupla: duas transferências de dados por ciclo de relógio
Oito bancos internos para operação simultânea
Arquitetura de prefetch de 8 bits
- CAS Latência: 6, 7, 8, 9, 10, 11 e 13
¢ modos de comprimento de rajada 8 (BL8) e de corte de rajada 4 (BC4): fixados através do registo de modo (MRS) ou selecionáveis a bordo (OTF)
¢ Ordenação de leitura de rádio programável: sequencial entrelaçada ou mordida
Os dados são transmitidos/recebidos através de estroboscópios bidirecionais e diferenciais (DQS e DQS#).
¢ Alinhada em borda com dados de leitura e alinhada no centro com dados de gravação
O DLL alinha as transições DQ e DQS com o relógio
Input de relógio diferencial (CK e CK#)
Os comandos inseridos em cada borda CK positiva, dados e máscara de dados são referenciados para ambas as bordas de um par de estroboscopo de dados diferencial (taxa de dados dupla)
¢ CAS publicado com latência aditiva programável (AL = 0, CL - 1 e CL - 2) para melhorar a eficiência do comando, endereço e data bus
¢ Latência de leitura = Latência aditiva mais Latência CAS (RL = AL + CL)
¢ Função de pré-carregamento automático para rádios de leitura e gravação
️ Aumentar, Auto-Aumentar, Auto-Aumentar (ASR) e Auto-Aumentar Parcial (PASR)
️ Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Winbond Electronics
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 78-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.425 V ~ 1.575 V
Embalagem do produto do fornecedor 78-WBGA (10.5x8)
Capacidade de memória 1G (128M x 8)
Tipo de memória DDR3 SDRAM
Velocidade 933 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR3 Memória IC 1Gb (128M x 8) Paralela 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin WBGA
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