Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Fornecedor verificado
3 Anos
Casa / Produtos / Flash Memory IC /

SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnologia de microchip

Contate
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Visite o site
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MissZhao
Contate

SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnologia de microchip

Pergunte o preço mais recente
Número do modelo :SST38VF6401B-70I/CD
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Permanente
Formato da memória :FLASH
Tecnologia :FLASH
Tamanho de memória :64Mbit
Organização da memória :4M x 16
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :10µs
Tempo de acesso :70 ns
Voltagem - Fornecimento :2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :48-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :48-TFBGA (6x8)
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

Detalhes do produto

Descrição do produto

O SST38VF166 é composto por três bancos de memória, 2 EEPROM flash de modo setorial de 512K x16 bits cada, mais um E2PROM de 4K x16 bits alterável por palavras fabricado com a patente da SST,Tecnologia SuperFlash de alto desempenho. O SST38VF166 apaga e programa com uma única fonte de alimentação.O dispositivo está em conformidade com os pinouts padrão JEDEC (propostos) para memórias de toda a palavra.

Características:

• Operações únicas de leitura e gravação de 2,7-3,6 V
• Bancos de memória separados para código ou dados
Capacidade de ler e escrever simultaneamente
• Confiabilidade superior
¢ Endurance (Resistência):
Banco E2 - 500 000 ciclos (típicos)
Banco de flash - 100.000 ciclos (típicos)
¢ Retenção de dados superior a 100 anos
• Baixo consumo de energia
A corrente ativa, leitura: 15 mA (típica)
Corrente ativa, leitura simultânea enquanto se escreve: 40 mA (típica)
Corrente de espera: 3 μA (típica)
Modo de baixa potência automática Corrente: 3 μA (típica)
• Operação de gravação rápida
Flash Bank-Erase + Programa: 8 segundos (típico)
Flash Block-Erase + Programa: 500 ms (típico)
Flash Sector-Erase + Program: 30 ms (típico)
E2 banco Word-Write: 9 ms (típico)
• Eliminação fixa, programação, tempo de gravação
Permaneça constante depois de andar de bicicleta
• Tempo de acesso à leitura
70 ns
• Endereço e dados bloqueados
• Detecção do fim da escrita
️ Troca de bits
¢ Dados# Pesquisa
• Banco E2:
Word-Write (apagamento automático antes do programa)
Sector-Erase (32 palavras) + Word-Programa (o mesmo que o banco Flash)
• Flash Bank: Dois pequenos tamanhos de elementos de apagamento
1 KWord por setor ou 32 KWord por bloco
Apagar qualquer um dos elementos antes do Word-Program
• Compatibilidade I/O CMOS
• Conjunto de comandos padrão JEDEC
• Pacotes disponíveis
️ TSOP de 48 pinos (12 mm x 20 mm)
• Proteção contínua dos dados de hardware e software (SDP)
• Um setor E2 programável de uma só vez (OTP)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Tecnologia de microchip
Categoria de produtos IC de memória
Série SST38
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Estilo de montagem SMD/SMT
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40°C a + 85°C
Embalagem 48-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 48-TFBGA (6x8)
Capacidade de memória 64M (4M x 16)
Tipo de memória Flash
Velocidade 70 ns
Arquitetura Setor
Memória de formato Flash
Tipo de interface Paralelo
Organização 4 M x 16
Suporte-corrente-máximo 30 mA
Largura do Data-Bus 16 bits
Voltagem de alimentação máxima 3.6 V
Voltagem de alimentação-min 2.7 V
Embalagem TFBGA-48
Tipo de cronometragem Asíncrono

Descrições

Memória flash IC 64 Mb (4M x 16) paralelo 70ns 48-TFBGA (6x8)
Flash Parallel 3.3V 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA Tray
Memória Flash 64 Mbit x16 Flash Multi-Pur avançado
Inquiry Cart 0