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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Tecnologias Infineon

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Número do modelo :CY14B101LA-SP45XI

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Permanente

Formato da memória :NVSRAM

Tecnologia :NVSRAM (SRAM permanente)

Tamanho de memória :1Mbit

Organização da memória :128K x 8

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :45ns

Tempo de acesso :45 ns

Voltagem - Fornecimento :2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :48-BSSOP (0,295", largura de 7.50mm)

Pacote de dispositivos do fornecedor :48-SSOP

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Detalhes do produto

Descrição funcional

O Cypress CY14B101LA/CY14B101NA é uma RAM estática rápida (SRAM), com um elemento não volátil em cada célula de memória.Os elementos não voláteis incorporados incorporam a tecnologia QuantumTrapA SRAM fornece ciclos de leitura e gravação infinitos, enquanto os dados não voláteis independentes residem na célula QuantumTrap altamente confiável.As transferências de dados da SRAM para os elementos não voláteis (operação STORE) ocorrem automaticamente na desativação. Ao ligar, os dados são restaurados para a SRAM (a operação RECALL) a partir da memória não volátil.

Características

■ Tempo de acesso de 20 ns, 25 ns e 45 ns
■ Organizado internamente como 128 K × 8 (CY14B101LA) ou 64 K × 16 (CY14B101NA)
■ Mãos desligadas STORE automático quando desligado com apenas um pequeno condensador
■ STORE para QuantumTrap elementos não voláteis iniciados por software, pin do dispositivo ou AutoStore quando desligado
■ RECALL para SRAM iniciado por software ou power-up
■ Ciclos infinitos de leitura, gravação e RECALL
■ 1 milhão de ciclos STORE para o QuantumTrap
■ 20 anos de conservação dos dados
■ Função única de 3 V +20% a -10%
■ Temperatura industrial
■ Pacotes
- Circuito integrado de contorno pequeno de 32 pinos (SOIC)
- 44-/54-Pin - Pacote de contorno pequeno fino (TSOP II)
¢ Pacote de contorno pequeno de 48 pinos (SSOP)
¢ Arquivo de grelhas de bolas de campo fino de 48 bolas (FBGA)
■ livre de Pb e compatível com a restrição de substâncias perigosas (RoHS)

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos	IC de memória
Série	CY14B101LA
Embalagem	Embalagens alternativas de tubos
Peso unitário	0.021175 onças
Estilo de montagem	SMD/SMT
Intervalo de temperatura de funcionamento	- 40°C a + 85°C
Embalagem	48-BSSOP (0,295", 7,50 mm de largura)
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor	48-SSOP
Capacidade de memória	1M (128K x 8)
Tipo de memória	NVSRAM (SRAM não volátil)
Velocidade	45 ns
Tempo de acesso	45 ns
Memória de formato	Memória RAM
Pd-Disposição de Potência	1 W
Temperatura máxima de funcionamento	+ 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento	- 40 C.
Corrente de abastecimento operacional	52 mA
Organização	128 k x 8
Largura do Data-Bus	8 bits
Voltagem de alimentação máxima	3.6 V
Voltagem de alimentação-min	2.7 V
Embalagem	SSOP-48

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante	Descrição	Fabricante	Comparação
CY14B101KA-SP45XI Memória	SRAM não volátil, 64KX16, 45ns, CMOS, PDSO48, compatível com a ROHS, SSOP-48	Semicondutor de cipreste	CY14B101LA-SP45XI versus CY14B101KA-SP45XI
CY14B101KA-SP45XIT Memória	SRAM não volátil, 64KX16, 45ns, CMOS, PDSO48, compatível com a ROHS, SSOP-48	Semicondutor de cipreste	CY14B101LA-SP45XI versus CY14B101KA-SP45XIT
CY14B101LA-SP45XIT Memória	SRAM não volátil, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO48, SSOP-48	Semicondutor de cipreste	CY14B101LA-SP45XI versus CY14B101LA-SP45XIT

Descrições

NVSRAM (SRAM não volátil) Memória IC 1Mb (128K x 8) Paralela 45ns 48-SSOP

NVRAM NVSRAM paralelo 1Mbit 3V tubo SSOP de 48 pines

NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM

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