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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

Pessoa de contato:MissZhao

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6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

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Número do modelo :6116LA25SOG8

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :SRAM

Tecnologia :SRAM - Assíncrono

Tamanho de memória :16Kbit

Organização da memória :2K x 8

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :25ns

Tempo de acesso :25 ns

Voltagem - Fornecimento :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :24-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura)

Pacote de dispositivos do fornecedor :24-SOIC

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Detalhes do produto

Descrição

O IDT6116SA/LA é uma RAM estática de alta velocidade de 16.384 bits organizada como 2K x 8. É fabricado usando tecnologia CMOS de alto desempenho e alta confiabilidade.

Características
◆ Acesso de alta velocidade e tempo de seleção de chips
Militar: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (máximo)
¢ Indústria: 20/25ns (máximo)
- Comércio: 15/20/25n (máximo)
◆ Baixo consumo de energia
◆ Operação de reserva de bateria
Voltagem de retenção de dados de 2 V (apenas versão LA)
◆ Produzido com CMOS avançado de alto desempenho
Tecnologia
◆ O processo CMOS praticamente elimina o erro da partícula alfa
Taxas
◆ Entrada e saída diretamente compatíveis com o TTL
◆ Operação estática: não são necessários relógios ou atualizações
◆ Disponível em DIP cerâmico de 24 pinos, cerâmica e plástico de 24 pinos Thin
SOIC de mergulho e 24 pinos
◆ Produto militar compatível com o MIL-STD-833, Classe B

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Sistemas de circuitos integrados
Categoria de produtos	IC de memória
Série	-
Embalagem	Embalagens alternativas
Embalagem	24-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura)
Temperatura de funcionamento	0°C ~ 70°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor	24-SOIC
Capacidade de memória	16K (2K x 8)
Tipo de memória	SRAM - Assíncrona
Velocidade	25 ns
Memória de formato	Memória RAM

Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante	Descrição	Fabricante	Comparação
6116LA20SOGI Memória	SOIC-24, Tubos	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	6116LA25SOG8 versus 6116LA20SOGI
6116LA20SOG Memória	SOIC-24, Tubos	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	6116LA25SOG8 versus 6116LA20SOG
STK22C48-SF25 Memória	SRAM não volátil, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0,350 INCH, PLASTIC, SOIC-28	Simtek Corporation	6116LA25SOG8 contra STK22C48-SF25
6116LA25SOGI Memória	SOIC-24, Tubos	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	6116LA25SOG8 versus 6116LA25SOGI
6116LA25SOG Memória	SOIC-24, Tubos	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	6116LA25SOG8 versus 6116LA25SOG
STK22C48-SF45I Memória	2KX8 SRAM não volátil, 45ns, PDSO28, 0,350 INCH, PLASTICO, SOIC-28	Rochester Electronics LLC	6116LA25SOG8 versus STK22C48-SF45I
STK22C48-SF25I Memória	2KX8 SRAM não volátil, 25ns, PDSO28, 0,350 INCH, PLASTICO, SOIC-28	Rochester Electronics LLC	6116LA25SOG8 vs STK22C48-SF25I
STK22C48-NF45I Memória	2KX8 SRAM não volátil, 45ns, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTICO, SOIC-28	Rochester Electronics LLC	6116LA25SOG8 vs STK22C48-NF45I

Descrições

SRAM - Memória assíncrona IC 16Kb (2K x 8) paralela 25ns 24-SOIC

SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

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