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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Cidade:shenzhen

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CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologias Infineon

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Número do modelo :CY62146EV30LL-45ZSXI

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :SRAM

Tecnologia :SRAM - Assíncrono

Tamanho de memória :4Mbit

Organização da memória :256K x 16

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :45ns

Tempo de acesso :45 ns

Voltagem - Fornecimento :2.2V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)

Pacote de dispositivos do fornecedor :44-TSOP II

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Detalhes do produto

Descrição funcional

O CY62146EV30 é uma RAM estática CMOS de alto desempenho organizada como 256K palavras por 16 bits.A corrente ativa ultra baixa é ideal para fornecer mais duração da bateriaTM (MoBL®) em aplicações portáteis como telefones celularesO dispositivo também possui uma função de desligamento automático que reduz significativamente o consumo de energia em 80% quando os endereços não estão alternando.

Características

■ Velocidade muito elevada: 45 ns
■ Intervalos de temperatura
Indústria: de 40°C a +85°C
- Automóvel-A: -40°C a +85°C
■ Ampla faixa de tensão: 2,20 V ∼3,60 V
■ Pin compatível com CY62146DV30
■ Potência de espera ultrabaixa
¢ Corrente de espera típica: 1 μA
¢ Corrente máxima de espera: 7 μA
■ Potência ativa ultra baixa
¢ Corrente ativa típica: 2 mA a f = 1 MHz
■ Fácil expansão da memória com características CE e OE
■ Desligamento automático quando desmarcado
■ CMOS para velocidade e potência ótimas
■ Disponível em pacotes VFBGA de 48 bolas e TSOP II de 44 pinos sem Pb

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos	IC de memória
Série	MoBL®
Tipo	Asíncrono
Embalagem	Embalagens alternativas de bandeja
Estilo de montagem	SMD/SMT
Nome comercial	MoBL
Embalagem	44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	2.2 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor	44-TSOP II
Capacidade de memória	4M (256K x 16)
Tipo de memória	SRAM - Assíncrona
Velocidade	45 ns
Taxa de dados	DEG
Tempo de acesso	45 ns
Memória de formato	Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento	+ 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento	- 40 C.
Tipo de interface	Paralelo
Organização	256 k x 16
Suporte-corrente-máximo	20 mA
Voltagem de alimentação máxima	3.6 V
Voltagem de alimentação-min	2.2 V
Embalagem	TSOP-44

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante	Descrição	Fabricante	Comparação
CY62147G30-45ZSXI Memória	SRAM padrão, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	Semicondutor de cipreste	CY62146EV30LL-45ZSXI versus CY62147G30-45ZSXI
CY62147EV30LL-45ZSXA Memória	SRAM padrão, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, livre de chumbo, TSOP2-44	Semicondutor de cipreste	CY62146EV30LL-45ZSXI versus CY62147EV30LL-45ZSXA
CY62146EV30LL-45ZSXA Memória	SRAM padrão, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, livre de chumbo, TSOP2-44	Semicondutor de cipreste	CY62146EV30LL-45ZSXI versus CY62146EV30LL-45ZSXA
CY62147EV30LL-45ZSXI Memória	SRAM padrão, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, livre de chumbo, TSOP2-44	Semicondutor de cipreste	CY62146EV30LL-45ZSXI versus CY62147EV30LL-45ZSXI

Descrições

SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray

SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM

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