Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

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Número do modelo :DS1225AD-200+
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Permanente
Formato da memória :NVSRAM
Tecnologia :NVSRAM (SRAM permanente)
Tamanho de memória :64 Kbits
Organização da memória :8K x 8
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :200ns
Tempo de acesso :200 ns
Voltagem - Fornecimento :4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :Através do Buraco
Embalagem / Caixa :Módulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :28-EDIP
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Detalhes do produto

Descrição

As DS1225AB e DS1225AD são SRAMs totalmente estáticas e não voláteis de 65.536 bits organizadas em 8192 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV tem uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerância..

Características

10 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa
Os dados são automaticamente protegidos durante a perda de energia
Substitui directamente a RAM estática volátil 8k x 8 ou EEPROM
Ciclos de gravação ilimitados
CMOS de baixa potência
Pacote DIP padrão JEDEC de 28 pinos
Tempo de acesso de leitura e gravação de até 70 ns
A fonte de energia de lítio é desconectada eletricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
Intervalo de operação VCC completo ± 10% (DS1225AD)
Intervalo de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1225AB)
Intervalo opcional de temperaturas industriais de -40°C a +85°C, designado IND

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Maxim Integrado
Categoria de produtos IC de memória
Série DS1225AD
Embalagem Tubos
Estilo de montagem Através do Buraco
Embalagem Módulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor 28-EDIP
Capacidade de memória 64K (8K x 8)
Tipo de memória NVSRAM (SRAM não volátil)
Velocidade 200 ns
Tempo de acesso 200 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento 0 C
Corrente de abastecimento operacional 75 mA
Tipo de interface Paralelo
Organização 8 k x 8
Parte-#-Aliases 90-1225A+D00 DS1225AD
Largura do Data-Bus 8 bits
Voltagem de alimentação máxima 5.5 V
Voltagem de alimentação-min 4.5 V
Embalagem EDIP-28

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
DS1225Y-200+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 Produtos integrados Maxim DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND
Memória
Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronics LLC DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND
DS1225Y-200
Memória
Módulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 Produtos integrados Maxim DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200
DS1225AD-200
Memória
Módulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-28 Dallas Semiconductor DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 Produtos integrados Maxim DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND+
BQ4010MA-200
Memória
Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, DMA28, DIP-28 Texas Instruments DS1225AD-200+ versus BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200
Memória
Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, PDIP28 Texas Instruments DS1225AD-200+ versus BQ4010YMA-200
DS1225AB-200
Memória
Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronics LLC DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200
DS1225AB-200+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 Produtos integrados Maxim DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 Produtos integrados Maxim DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200IND+

Descrições

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memória IC 64Kb (8K x 8) Paralela 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k SRAM não volátil
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