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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

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Número do modelo :DS1225AD-200+

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Permanente

Formato da memória :NVSRAM

Tecnologia :NVSRAM (SRAM permanente)

Tamanho de memória :64 Kbits

Organização da memória :8K x 8

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :200ns

Tempo de acesso :200 ns

Voltagem - Fornecimento :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)

Tipo de montagem :Através do Buraco

Embalagem / Caixa :Módulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm)

Pacote de dispositivos do fornecedor :28-EDIP

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Detalhes do produto

Descrição

As DS1225AB e DS1225AD são SRAMs totalmente estáticas e não voláteis de 65.536 bits organizadas em 8192 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV tem uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerância..

Características

10 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa
Os dados são automaticamente protegidos durante a perda de energia
Substitui directamente a RAM estática volátil 8k x 8 ou EEPROM
Ciclos de gravação ilimitados
CMOS de baixa potência
Pacote DIP padrão JEDEC de 28 pinos
Tempo de acesso de leitura e gravação de até 70 ns
A fonte de energia de lítio é desconectada eletricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
Intervalo de operação VCC completo ± 10% (DS1225AD)
Intervalo de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1225AB)
Intervalo opcional de temperaturas industriais de -40°C a +85°C, designado IND

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Maxim Integrado
Categoria de produtos	IC de memória
Série	DS1225AD
Embalagem	Tubos
Estilo de montagem	Através do Buraco
Embalagem	Módulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamento	0°C ~ 70°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor	28-EDIP
Capacidade de memória	64K (8K x 8)
Tipo de memória	NVSRAM (SRAM não volátil)
Velocidade	200 ns
Tempo de acesso	200 ns
Memória de formato	Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento	+ 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento	0 C
Corrente de abastecimento operacional	75 mA
Tipo de interface	Paralelo
Organização	8 k x 8
Parte-#-Aliases	90-1225A+D00 DS1225AD
Largura do Data-Bus	8 bits
Voltagem de alimentação máxima	5.5 V
Voltagem de alimentação-min	4.5 V
Embalagem	EDIP-28

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante	Descrição	Fabricante	Comparação
DS1225Y-200+ Memória	Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28	Produtos integrados Maxim	DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND Memória	Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28	Rochester Electronics LLC	DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND
DS1225Y-200 Memória	Módulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28	Produtos integrados Maxim	DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200
DS1225AD-200 Memória	Módulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-28	Dallas Semiconductor	DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+ Memória	Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28	Produtos integrados Maxim	DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND+
BQ4010MA-200 Memória	Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, DMA28, DIP-28	Texas Instruments	DS1225AD-200+ versus BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200 Memória	Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, PDIP28	Texas Instruments	DS1225AD-200+ versus BQ4010YMA-200
DS1225AB-200 Memória	Módulo SRAM não volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28	Rochester Electronics LLC	DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200
DS1225AB-200+ Memória	Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28	Produtos integrados Maxim	DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+ Memória	Modulo SRAM não volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28	Produtos integrados Maxim	DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200IND+

Descrições

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memória IC 64Kb (8K x 8) Paralela 200ns 28-EDIP

NVRAM 64k SRAM não volátil

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