Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALELO 44SOJ Alliance Memory, Inc.

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AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALELO 44SOJ Alliance Memory, Inc.

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Número do modelo :AS7C34098A-10JIN
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :SRAM
Tecnologia :SRAM - Assíncrono
Tamanho de memória :4Mbit
Organização da memória :256K x 16
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :10ns
Tempo de acesso :10 ns
Voltagem - Fornecimento :3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :44-BSOJ (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :44-SOJ
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Detalhes do produto

Descrição funcional

O AS7C34098A é um CMOS 4 de alto desempenho,194, dispositivo de memória de acesso estático aleatório (SRAM) de 304 bits organizado como 262.144 palavras × 16 bits. É projetado para aplicações de memória onde o acesso rápido a dados, baixo consumo de energia e interface simples são desejados.
O acesso de endereço igual e os tempos de ciclo (tAA, tRC, tWC) de 10/12/15/20 ns com tempos de acesso de saída (tOE) de 4/5/6/7 ns são ideais para aplicações de alto desempenho.O chip permite a entrada CE permite fácil expansão de memória com sistemas de memória de vários bancos.

Características

• Pin compatível com AS7C34098
• Temperatura industrial e comercial
• Organização: 262.144 palavras × 16 bits
• Alimentação central e pinos de terra
• Alta velocidade
- 10/12/15/20 ns tempo de acesso ao endereço
- 4/5/6/7 ns saída permitir tempo de acesso
• Baixo consumo de energia: ACTIVO
- 650 mW /max @ 10 ns
• Baixo consumo de energia: STANDBY
- 28,8 mW/max CMOS
• Controles de leitura/escritura de bytes individuais
• Fácil expansão da memória com entradas CE, OE
• E/S de três estados compatível com TTL e CMOS
• Pacotes padrão JEDEC de 44 pinos
- 400 mil SOJ
- TSOP 2
• Proteção ESD ≥ 2000 volts
• Corrente de retenção ≥ 200 mA

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 44-SOJ
Capacidade de memória 4M (256K x 16)
Tipo de memória SRAM - Assíncrona
Velocidade 10n
Memória de formato Memória RAM
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
IS61LV25616AL-10K
Memória
SRAM padrão, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-44 Solução Integrada de Silício Inc AS7C34098A-10JIN versus IS61LV25616AL-10K
IS61LV25616AL-10KLI
Memória
SRAM padrão, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, livre de chumbo, PLASTICO, MS-027, SOJ-44 Solução Integrada de Silício Inc AS7C34098A-10JIN versus IS61LV25616AL-10KLI
CY7C1041DV33-10VXI
Memória
256KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, 10,16 MM, sem chumbo, SOJ-44 Rochester Electronics LLC AS7C34098A-10JIN versus CY7C1041DV33-10VXI
CY7C1041CV33-10VC
Memória
256KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, 0,400 INCH, SOJ-44 Rochester Electronics LLC AS7C34098A-10JIN versus CY7C1041CV33-10VC
CY7C1041CV33-10VXC
Memória
SRAM padrão, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, livre de chumbo, SOJ-44 Semicondutor de cipreste AS7C34098A-10JIN versus CY7C1041CV33-10VXC
AS7C34098A-10JCN
Memória
SRAM padrão, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, livre de chumbo, SOJ-44 Alliance Memory Inc. As emissões de CO2 provenientes de fontes de energia renovável não devem ser consideradas como emissões de CO2 provenientes de fontes de energia renovável.
AS7C34098A-10JIN
Memória
SRAM padrão, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, livre de chumbo, SOJ-44 Alliance Memory Inc. AS7C34098A-10JIN versus AS7C34098A-10JIN
CY7C1041DV33-10VXC
Memória
SRAM padrão, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, livre de chumbo, SOJ-44 Semicondutor de cipreste AS7C34098A-10JIN versus CY7C1041DV33-10VXC

Descrições

SRAM - Memória IC assíncrona 4Mb (256K x 16) paralela 10ns 44-SOJ
SRAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM
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