Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

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MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

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Número do modelo :MT4M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM
Tamanho de memória :64Mbit
Organização da memória :2M x 32
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :167 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :12ns
Tempo de acesso :5,5 ns
Voltagem - Fornecimento :3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :86-TFSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :86-TSOP II
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Detalhes do produto

Descrição geral

A SDRAM de 64 Mb é uma memória CMOS de alta velocidade, de acesso aleatório dinâmico, contendo 67,108É internamente configurado como uma DRAM quad-banco com uma interface síncrona (todos os sinais são registrados na borda positiva do sinal do relógio, CLK).777Os bancos de 216 bits são organizados em 2.048 linhas por 256 colunas por 32 bits.
Os acessos de leitura e gravação para a SDRAM são orientados para explosões; os acessos começam em um local selecionado e continuam por um número programado de locais em uma sequência programada.Os acessos começam com o registo de um comando ACTIVEOs bits de endereço registrados coincidindo com o comando ACTIVE são usados para selecionar o banco e a linha a serem acessados (BA0, BA1 selecione o banco,A0-A10 selecionar a linha)Os bits de endereço registrados coincidindo com o comando READ ou WRITE são usados para selecionar a localização da coluna de partida para o acesso rápido.

Características

• Funcionalidade PC100
• Totalmente sincronizado; todos os sinais registados na borda positiva do relógio do sistema
• Operação interna por conduta; o endereço da coluna pode ser alterado a cada ciclo de relógio
• Bancos internos para acesso/pré-carregamento nas fileiras de esconderijos
• Comprimentos de rádio programáveis: 1, 2, 4, 8 ou página inteira
• Precarga automática, inclui CONCURRENT AUTO PRECHARGE e modos de atualização automática
• Modo de auto-refrescamento
• 64 ms, 4.096 ciclos de atualização (15,6 μs/linha)
• Entradas e saídas compatíveis com o LVTTL
• Fonte de alimentação única +3,3V ±0,3V
• Suporta latência CAS de 1, 2 e 3

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem
Embalagem 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 86-TSOP II
Capacidade de memória 64M (2M x 32)
Tipo de memória SDRAM
Velocidade 167 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) Paralelo 167MHz 5.5ns 86-TSOP II
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