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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.

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China AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. wholesale
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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
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Número do modelo :As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa devem ser ca
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR
Tamanho de memória :512Mbit
Organização da memória :32M x 16
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :200 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :15ns
Tempo de acesso :700 picosegundos
Voltagem - Fornecimento :2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :66-TSOP II
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Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.3 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor 66-TSOP II
Capacidade de memória 512M (32M x 16)
Tipo de memória DDR SDRAM
Velocidade 200 MHz
Memória de formato Memória RAM
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