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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

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MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALELO 144FBGA Micron Technology Inc.

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Número do modelo :MT4A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1B

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :GOLE

Tecnologia :GOLE

Tamanho de memória :288Mbit

Organização da memória :16M x 18

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :400 MHz

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-

Tempo de acesso :20 ns

Voltagem - Fornecimento :1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamento :0°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :144-TFBGA

Pacote de dispositivos do fornecedor :144-FBGA (18.5x11)

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Detalhes do produto

Descrição geral

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. A RLDRAM não requer multiplexação de endereços de linha/coluna e é otimizada para acesso aleatório rápido e largura de banda de alta velocidade.
A RLDRAM é projetada para armazenamentos de dados de comunicação, como buffers de transmissão ou recebimento em sistemas de telecomunicações, bem como aplicativos de cache de dados ou instruções que exigem grandes quantidades de memória.

Características

• 2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.8V VDDQ I/O
• Endereçamento bancário cíclico para a largura de banda máxima de saída de dados
• Endereços não múltiplos
• Explosão sequencial não interrompida de dois (2-bit)
prefetch) e quatro (4-bit prefetch) DDR
• Taxa de dados de 600 Mb/s/p
• Latência de leitura programável (RL) de 5 a 8
• O sinal válido de dados (DVLD) é activado quando os dados de leitura estão disponíveis
• Sinais de máscara de dados (DM0/DM1) para mascarar primeiro e
segunda parte da gravação de dados
• Análise de limites JTAG compatível com a norma IEEE 1149.1
• Fornecimento de I/O pseudo-HSTL 1.8V
• Precarga automática interna
• Requisitos de atualização: 32 ms a 100 °C
temperatura (8K atualização para cada banco, 64K atualização
O comando deve ser emitido no total a cada 32 ms)

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Micron Technology Inc.
Categoria de produtos	IC de memória
Série	-
Embalagem	Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem	144-TFBGA
Temperatura de funcionamento	0°C ~ 95°C (TC)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor	144-μBGA (18,5x11)
Capacidade de memória	288M (16M x 18)
Tipo de memória	RLDRAM 2
Velocidade	2.5ns
Memória de formato	Memória RAM

Descrições

Memória DRAM IC 288Mb (16M x 18) Paralela 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)

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