Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

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Número do modelo :MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A5
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR2
Tamanho de memória :512Mbit
Organização da memória :128M x 4
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :400 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :15ns
Tempo de acesso :400 picosegundos
Voltagem - Fornecimento :1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :60-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :60-FBGA (8x10)
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Detalhes do produto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1,8 V de acordo com o padrão JEDEC (compatível com SSTL_18)
• Opção de estroboscopia de dados diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitetura de prefetch de 4n bits
• Opção de estroboscopia de saída dupla (RDQS) para x8
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Latência de CAS programável (CL)
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• LATENÇA DE ESCRITA = LATENÇA DE LECTAÇÃO - 1 tCK
• Comprimentos de explosão selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força do motor de saída de dados ajustável
• 64 ms, 8192 ciclos de atualização
• Terminação no momento da morte (ODT)
• Opção de temperatura industrial (IT)
• Opção de temperatura do automóvel (AT)
• Compatível com a RoHS
• Suporta a especificação JEDEC clock jitter

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 85°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 FBGA (8x10)
Capacidade de memória 512M (128Mx4)
Tipo de memória DDR2 SDRAM
Velocidade 2.5ns
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR2 Memória IC 512Mb (128M x 4) Paralela 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60 pin FBGA
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