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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

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MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

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Número do modelo :MT46V16M16CY-5B A TI: M

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :GOLE

Tecnologia :SDRAM - DDR

Tamanho de memória :256Mbit

Organização da memória :16M x 16

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :200 MHz

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :15ns

Tempo de acesso :700 picosegundos

Voltagem - Fornecimento :2,5V ~ 2,7V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :60-TFBGA

Pacote de dispositivos do fornecedor :60 FBGA (8x12,5)

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Descrição geral

A DDR333 SDRAM é uma memória CMOS de acesso aleatório dinâmico de alta velocidade que opera a uma frequência de 167 MHz (tCK=6ns) com uma taxa de transferência de dados máxima de 333Mb/s/p.O DDR333 continua a usar a interface SSTL_2 padrão JEDEC e a arquitetura 2n-prefetch.

Características

• Relógio de 167 MHz, taxa de dados de 333 Mb/s/p
•VDD= +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Estrobo de dados bidireccional (DQS) transmitido/recebido com dados, ou seja, captura de dados síncrona com a fonte (x16 tem dois - um por byte)
• Arquitetura interna de dupla taxa de dados (DDR); dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados para READs; centro alinhado com dados para WRITEs
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• Quatro bancos internos para funcionamento simultâneo
• Máscara de dados (DM) para mascarar dados de gravação (x16 tem dois - um por byte)
• Comprimentos de rajadas programáveis: 2, 4 ou 8
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo suportada
• Modos de auto-realização e auto-realização
• Pacote FBGA disponível
• 2.5V de entrada/saída (compatível com SSTL_2)
• bloqueio do tRAS (tRAP = tRCD)
• Compatível para trás com DDR200 e DDR266

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Micron Technology Inc.
Categoria de produtos	IC de memória
Série	-
Embalagem	Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem	60-TFBGA
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	2.5 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor	60 FBGA (8x12,5)
Capacidade de memória	256M (16M x 16)
Tipo de memória	DDR SDRAM
Velocidade	5n
Memória de formato	Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória DDR IC 256Mb (16M x 16) Paralela 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)

Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60 pin FBGA

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