Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MissZhao
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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

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Número do modelo :MT40A1G4RH-083E: B
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR4
Tamanho de memória :4Gbit
Organização da memória :1G x 4
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :1,2 gigahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-
Tempo de acesso :-
Voltagem - Fornecimento :1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :78-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :78-FBGA (9x10.5)
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Detalhes do produto

Descrição

Estes supressores de tensão transitória de 1500 watts oferecem capacidades de manipulação de potência encontradas apenas em pacotes maiores.Eles são mais frequentemente utilizados para proteger contra transientes de ambientes de comutação indutiva ou efeitos secundários de relâmpago induzidos, como encontrados em níveis mais baixos de onda de IEC61000-4-5Com tempos de resposta muito rápidos, são também eficazes na protecção contra DSE ou EFT.As características do pacote Powermite® incluem um fundo totalmente metálico que elimina a possibilidade de encurralamento do fluxo de solda durante a montagemEles também fornecem uma única aba de bloqueio atuando como um disipador de calor integral.A indutividade parasitária é minimizada para reduzir os excessos de tensão durante transientes de tempo de alta rápida.

Características

• Pacote de fixação de superfície de perfil muito baixo (1.1 mm)
• Caixas integradas de bloqueio do dissipador de calor
• Compatível com equipamento de inserção automática
• O fundo totalmente metálico elimina a captura do fluxo
• Faixa de tensão de 5 a 170 volts
• Disponível tanto unidireccional como bidireccional (subfixo C para bidireccional)

Classificações máximas

• Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Temperatura de armazenagem: - 55°C a + 150°C
• Potência de pico de pulso de 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Corrente de sobrecarga para a frente: 200 amperes a 8,3 ms (excluindo bidireccional)
• Taxa de aumento da repetição (fator de taxa): 0,01%
• Resistência térmica: junção de 2,5°C/watt com a guia junção de 130°C/watt com o ambiente com pegada recomendada
• Temperatura de chumbo e de montagem: 260°C durante 10 segundos

Aplicações / Benefícios

• Proteção temporária contra raios secundários
• Proteção transitória por comutação indutiva
• Pequena pegada
• Indutância parasitária muito baixa para ultrapassagem mínima de tensão
• Compatível com as normas IEC61000-4-2 e IEC61000-4-4 para proteção ESD e EFT, respectivamente, e com as normas IEC61000-4-5 para níveis de sobretensão definidos no presente regulamento

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 78-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.14 V ~ 1.26 V
Embalagem do produto do fornecedor A partir de um ponto de fusão, o ponto de fusão é o ponto de fusão.
Capacidade de memória 4G (1G x 4)
Tipo de memória DDR4 SDRAM
Velocidade 18n
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR4 Memória IC 4Gb (1G x 4) Paralela 1,2GHz 78-FBGA (9x10.5)
Chip DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78-Pin FBGA
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