Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MissZhao
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

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Número do modelo :RMLV0416EGSB-4S2#HA1
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :SRAM
Tecnologia :SRAM
Tamanho de memória :4Mbit
Organização da memória :256K x 16
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :45ns
Tempo de acesso :45 ns
Voltagem - Fornecimento :2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :44-TSOP II
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Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Renesas Electronics América
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 44-TSOP2 (10.2x18.4)
Capacidade de memória 4M (256K x 16)
Tipo de memória SRAM
Velocidade 45 ns
Memória de formato Memória RAM

Descrições

Memória SRAM IC 4Mb (256K x 16) paralelo 45ns 44-TSOP2
SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -4
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