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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Cidade:shenzhen

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CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALELO 32SOJ Infineon Technologies

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Número do modelo :CY7C1019DV33-10VXI

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :SRAM

Tecnologia :SRAM - Assíncrono

Tamanho de memória :1Mbit

Organização da memória :128K x 8

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :10ns

Tempo de acesso :10 ns

Voltagem - Fornecimento :3 V ~ 3,6 V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :32-BSOJ (0,400", largura de 10.16mm)

Pacote de dispositivos do fornecedor :32-SOJ

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Detalhes do produto

Características

• Compatível com pin e função com CY7C1019CV33
• Alta velocidade
¢ tAA = 10 ns
• Baixa potência ativa
¢ CCI = 60 mA @ 10 ns
• Baixa potência de espera CMOS
¢ ISB2 = 3 mA
• 2.0 V de retenção de dados
• Desligamento automático quando desmarcado
• CMOS para velocidade/potência ótimas
• Central de potência/pinout de terra
• Fácil expansão da memória com opções CE e OE
• Disponível em 32 pinos de 400 milhas de largura sem Pb,
Pacotes VFBGA de 32 pinos TSOP II e 48 bolas

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos	IC de memória
Série	-
Embalagem	Embalagens alternativas de tubos
Embalagem	32-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor	32-SOJ
Capacidade de memória	1M (128K x 8)
Tipo de memória	SRAM - Assíncrona
Velocidade	10n
Memória de formato	Memória RAM

Descrições

SRAM - Memória assíncrona IC 1Mb (128K x 8) paralela 10ns 32-SOJ

SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns tubo SOJ de 32 pines

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