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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALELO 28SOJ Alliance Memory, Inc.

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Número do modelo :AS7C256A-12JCN

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :SRAM

Tecnologia :SRAM - Assíncrono

Tamanho de memória :256Kbit

Organização da memória :32K x 8

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :12ns

Tempo de acesso :12 ns

Voltagem - Fornecimento :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de largura)

Pacote de dispositivos do fornecedor :28-SOJ

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Detalhes do produto

Descrição funcional

O AS7C256A é um dispositivo CMOS de alto desempenho de 5,0V com memória de acesso aleatório estático (SRAM) de 262,144 bits organizado como 32.768 palavras × 8 bits.É projetado para aplicações de memória que requerem acesso rápido a dados a baixa tensãoA Alliance's avançada circuito design e técnicas de processo permitem operação de 5,0V sem sacrificar o desempenho ou margens operacionais.

Características

• Pin compatível com AS7C256
• Opções de temperatura industriais e comerciais
• Organização: 32.768 palavras × 8 bits
• Alta velocidade
- 10/12/15/20 ns tempo de acesso ao endereço
- 5, 6, 7, 8 ns de saída permitir tempo de acesso
• Consumo de energia muito baixo: ACTIVO
- 412,5 mW max @ 10 ns
• Consumo de energia muito baixo: STANDBY
- 11 mW max CMOS I/O
• Fácil expansão da memória com entradas CE e OE
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC de 28 pinos
- 300 ml de SOJ
- 8 × 13,4 mm TSOP 1
• Proteção ESD ≥ 2000 volts
• Corrente de retenção ≥ 200 mA
• 2.0 V de retenção de dados

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos	IC de memória
Série	-
Embalagem	Embalagens alternativas de tubos
Embalagem	28-BSOJ (.300", 7,62 mm de largura)
Temperatura de funcionamento	0°C ~ 70°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor	28-SOJ
Capacidade de memória	256K (32K x 8)
Tipo de memória	SRAM - Assíncrona
Velocidade	12n
Memória de formato	Memória RAM

Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante	Descrição	Fabricante	Comparação
PDM41256LB12SO Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28	IXYS Corporation	AS7C256A-12JCN versus PDM41256LB12SO
C1C1E-JC12 Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN versus K6E0808C1E-JC12
AS7C256A-12JCN Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, livre de chumbo, PLASTICO, SOJ-28	Alliance Memory Inc.	AS7C256A-12JCN versus AS7C256A-12JCN
AS7C256A-12JC Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Alliance Memory Inc.	AS7C256A-12JCN versus AS7C256A-12JC
C1C1C-JC12 Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN versus K6E0808C1C-JC12
KM68257EJ-12 Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN versus KM68257EJ-12
KM68257CJ-12 Memória	SRAM padrão, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN versus KM68257CJ-12

Descrições

SRAM - Memória assíncrona IC 256Kb (32K x 8) paralela 12ns 28-SOJ

SRAM 256K, 5V, 12ns, FAST 32K x 8 SRAM assíncrona

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