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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALELO 54VFBGA Micron Technology Inc.

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China MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALELO 54VFBGA Micron Technology Inc. wholesale
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MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALELO 54VFBGA Micron Technology Inc.
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Número do modelo :MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :PSRAM
Tecnologia :PSRAM (SRAM pseudo-)
Tamanho de memória :16Mbit
Organização da memória :1M x 16
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :70ns
Tempo de acesso :70 ns
Voltagem - Fornecimento :1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento :-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :54-VFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :O número de veículos aéreos deve ser igual ou superior a:
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Detalhes do produto

SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR (transistor de alta eficiência de silício)

Características

* Baixa resistência de ligação equivalente; RCE (sat) 400mΩ a 1A
* 1 Amp de corrente contínua
* Ptot= 500 mW

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Faixa de corte (TC)
Embalagem 54-VFBGA
Temperatura de funcionamento -30°C ~ 85°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 10,7 V ~ 1,95 V
Embalagem do produto do fornecedor O número de veículos aéreos deve ser igual ou superior a:
Capacidade de memória 16M (1M x 16)
Tipo de memória PSRAM (Página)
Velocidade 70 ns
Memória de formato Memória RAM

Descrições

PSRAM (Pseudo SRAM) Memória IC 16Mb (1M x 16) Paralela 70ns 54-VFBGA (6x9)
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