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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512 MBIT PARALELO 60FBGA Alliance Memory, Inc.

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País / Região:china
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China AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512 MBIT PARALELO 60FBGA Alliance Memory, Inc. wholesale
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AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512 MBIT PARALELO 60FBGA Alliance Memory, Inc.
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Número do modelo :AS4C64M8D2-25BIN
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR2
Tamanho de memória :512Mbit
Organização da memória :64M x 8
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :400 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :15ns
Tempo de acesso :400 picosegundos
Voltagem - Fornecimento :1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :60-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :60-FBGA (8x10)
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Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 FBGA (8x10)
Capacidade de memória 512M (64M x 8)
Tipo de memória DDR2 SDRAM
Velocidade 400 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR2 Memória IC 512Mb (64M x 8) Paralela 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
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