[Toshiba]
2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM
Descrição
O TH58NVG1S3A é um único 3,3-V 2G-bit (2,214,592,512 bits) NAND Memória somente leitura eletricamente apagável e programável (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) bytes x 64 páginas x 2048 blocos.O dispositivo tem um registro estático de 2112 bytes que permite que os dados de programação e leitura sejam transferidos entre o registro e a matriz de células de memória em incrementos de 2112 bytesA operação de apagamento é implementada numa única unidade de bloco (128 Kbytes + 4Kbytes: 2112 bytes x 64 páginas).
O TH58NVG1S3A é um dispositivo de memória de tipo serial que utiliza os pinos de E/S tanto para endereço e entrada/saída de dados como para entradas de comando.As operações de apagamento e programação são executadas automaticamente, tornando o dispositivo mais adequado para aplicações como armazenamento de arquivos de estado sólido, gravação de voz, memória de ficheiros de imagem para câmaras fixas e outros sistemas que requerem armazenamento de dados de memória não volátil de alta densidade.
Características
• Organização
Célula de memória allay 2112 u 64K u 8 u 2
Registo 2112 u 8
Tamanho da página 2112 bytes
Tamanho do bloco (128K 4K) bytes
• Modos
Leia, Reinicie, Programa de Página Automática
Auto-Bloqueio de apagamento, leitura de status
• Controle do modo
Entrada/saída em série
Controle de comando
• Fornecimento de energia VCC 2,7 V a 3,6 V
• Ciclos de programação/apagamento 1E5 Ciclos ((Com ECC)
• Tempo de acesso
Arquivo de células para registar 25 μs max
Ciclo de leitura em série 50 ns min
• Corrente de funcionamento
Leitura (ciclo de 50 ns) 10 mA tipo.
Programa (média) 10 mA tipo.
Eliminação (média) 10 mA tip.
50 μA no máximo em modo de espera
• Pacote
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Peso: 0,53 g tip.)
