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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

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Número do modelo :IS41LV16100B-50KL

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :GOLE

Tecnologia :DRAM - EDO

Tamanho de memória :16Mbit

Organização da memória :1M x 16

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-

Tempo de acesso :25 ns

Voltagem - Fornecimento :3 V ~ 3,6 V

Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :42-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura)

Pacote de dispositivos do fornecedor :42-SOJ

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Detalhes do produto

Descrição

O ISSIIS41LV16100B é 1,048Memórias de Acesso Dinâmico aleatório CMOS de alto desempenho de 576 x 16 bits. Estes dispositivos oferecem um acesso de ciclo acelerado chamado Modo de Página EDO. O Modo de Página EDO permite 1,024 acessos aleatórios numa única linha com um tempo de ciclo de acesso tão curto como 20 ns por palavra de 16 bits.

Características

• Entradas e saídas compatíveis com o TTL; E/S de três estados
• Intervalo de atualização:
Modo de atualização automática: 1.024 ciclos / 16 ms
¢ somente RAS, CAS antes de RAS (CBR) e oculto
• Pinout padrão JEDEC
• Fonte de alimentação única: 3,3 V ± 10%
• Operação de Byte Write e Byte Read através de dois CAS
• Faixa de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponível sem chumbo

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	ISSI
Categoria de produtos	Chips IC
Série	-
Embalagem	Tubos
Embalagem	42-BSOJ (0,400", 10,16 mm)
Temperatura de funcionamento	0°C ~ 70°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor	42-SOJ
Capacidade de memória	16M (1M x 16)
Tipo de memória	DRAM - EDO
Velocidade	50 ns
Memória de formato	Memória RAM

Descrições

Memória DRAM - EDO IC 16Mb (1M x 16) Paralela 25ns 42-SOJ

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