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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc

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Número do modelo :71V25761S166PFG8

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :SRAM

Tecnologia :SRAM - Síncrono, SDR

Tamanho de memória :4.5Mbit

Organização da memória :128K x 36

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :166 MHz

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-

Tempo de acesso :3,5 ns

Voltagem - Fornecimento :3.135V ~ 3.465V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :100-LQFP

Pacote de dispositivos do fornecedor :100-TQFP (14x20)

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Detalhes do produto

Descrição

O IDT71V256SA é uma RAM estática de alta velocidade de 262.144 bits organizada como 32K x 8. É fabricado usando a tecnologia CMOS de alto desempenho e alta confiabilidade da IDT.

Características

• Ideal para processadores de alto desempenho
• Comercial (0° a 70°C) e Industrial (-40° a 85°C)
opções de temperatura
• Tempo de acesso rápido:
Commercial: 10/12/15/20ns
Indústria: 15 anos
• Corrente de espera baixa (máximo):
2mA em estado de espera total
• Pequenas embalagens para arranjos menos pesados:
¢ 28 pinos 300 mil SOJ
- 28 pinos 300 mil DIP de plástico (só comercial)
¢ TSOP tipo I de 28 pinos
• Produzido com CMOS avançado de alto desempenho
Tecnologia
• As entradas e saídas são compatíveis com LVTTL
• Fonte de alimentação única de 3,3 V (± 0,3 V)

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Sistemas de circuitos integrados
Categoria de produtos	IC de memória
Série	71V25761S166
Tipo	Sincronizado
Embalagem	Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Peso unitário	0.023175 onças
Estilo de montagem	SMD/SMT
Embalagem	100 LQFP
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	3.135 V ~ 3.465 V
Embalagem do produto do fornecedor	100 TQFP (14x20)
Capacidade de memória	4.5M (128K x 36)
Tipo de memória	SRAM - Sincronizado
Velocidade	166 MHz
Tempo de acesso	3.5 ns
Memória de formato	Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento	+ 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento	0 C
Tipo de interface	Paralelo
Organização	128 k x 36
Suporte-corrente-máximo	320 mA
Parte-#-Aliases	71V25761 IDT71V25761S166PFG8
Voltagem de alimentação máxima	3.465 V
Voltagem de alimentação-min	3.135 V
Embalagem	TQFP-100
Frequência máxima do relógio	166 MHz

Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante	Descrição	Fabricante	Comparação
IDT71V25761S166PFI8 Memória	Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, PLASTICO, TQFP-100	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	71V25761S166PFG8 vs IDT71V25761S166PFI8
71V25761S166PFGI Memória	Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1,40 MM de altura, verde, plástico, TQFP-100	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	71V25761S166PFG8 versus 71V25761S166PFGI
IDT71V25761S166PF Memória	Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	71V25761S166PFG8 versus IDT71V25761S166PF
71V25761S166PFG Memória	TQFP-100, bandeja	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	71V25761S166PFG8 contra 71V25761S166PFG
71V25761S166PF8 Memória	Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, PLASTICO, TQFP-100	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	71V25761S166PFG8 contra 71V25761S166PF8
IDT71V25761S166PFI Memória	Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.	71V25761S166PFG8 vs IDT71V25761S166PFI

Descrições

SRAM - Memória síncrona IC 4.5Mb (128K x 36) Paralela 166MHz 3.5ns 100-TQFP (14x20)

SRAM 128Kx36 SYNC 3,3 V SRAM BRAST

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