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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALELO 63TFBGA Kioxia America, Inc.

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Número do modelo :TC58BVG0S3HBAI4

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Permanente

Formato da memória :FLASH

Tecnologia :FLASH - NAND (SLC)

Tamanho de memória :1Gbit

Organização da memória :128M x 8

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :-

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :25ns

Tempo de acesso :25 ns

Voltagem - Fornecimento :2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :63-VFBGA

Pacote de dispositivos do fornecedor :63-TFBGA (9x11)

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Detalhes do produto

85 oC, condensador de uso geral de alta ondulação

Tipo TC é um condensador eletrolítico de alumínio de uso geral, de 85 oC, de vida útil de 1000 horas, com chumbo axial, com uma corrente de ondulação elevada e adequado para aplicações em equipamentos eletrónicos de consumo.

Destaques

• Finalidade geral
• Corrente de ondulação elevada
• Instalação de baixo perfil

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Categoria de produtos	IC de memória
Série	BenandTM
Embalagem	Caixa
Embalagem	63-VFBGA
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor	63-TFBGA (9x11)
Capacidade de memória	1G (128M x 8)
Tipo de memória	EEPROM - NAND
Velocidade	25 ns
Memória de formato	EEPROMs - em série

Descrições

Flash - NAND (SLC) Memória IC 1Gb (128M x 8) Paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)

SLC NAND Flash paralelo 3.3V 1G-bit

EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

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