Os dispositivos de NAND Flash do mícron incluem uma relação assíncrona dos dados para operações de capacidade elevada do I/O. Estes dispositivos usam um ônibus de 8 bits altamente multiplexado (I/Ox) para transferir comandos, endereço, e dados. Há cinco sinais de controle usados para executar a relação assíncrona dos dados: CE#, CLE, CERVEJA INGLESA, WE#, e RE#. Os sinais adicionais controlam o hardware para escrever a proteção e monitorar o estado de dispositivo (R/B#).
Esta relação de hardware cria um baixo dispositivo da pino-contagem com um pinout padrão que permaneça o mesmo de uma densidade a outra, permitindo elevações do futuro a umas densidades mais altas sem a placa remodela.
Um alvo é a unidade de memória alcançada por uma microplaqueta permite o sinal. Um alvo contém uns ou vários NAND Flash morre. NAND Flash morre é a unidade mínima que pode independentemente executar comandos e estado do relatório. NAND Flash morre, na especificação de ONFI, é referido como uma unidade lógica (LUN). Há pelo menos um NAND Flash morre pela microplaqueta permite o sinal. Para uns detalhes mais adicionais, veja a organização do dispositivo e da disposição.
Este dispositivo tem uma CCE interna de 4 bocados que possa ser permitida usando as características de GET/SET. Veja a CCE interna e a área de reposição que traçam para a CCE para mais informação.
Endereçamento da disposição – MT29F2G08 (x8)
Notas: 1. endereço de bloco concatenado com endereço de página = endereço de página real. CAx = endereço de coluna; PAx = endereço de página; BAx = endereço de bloco.
• O byte de estado da operação fornece o método do software detectando
– Conclusão da operação
– Condição da passagem/falha
– Escrever-proteja o estado
• O sinal pronto/Busy# (R/B#) fornece um método do hardware de detectar a conclusão da operação
• Sinal de WP#: Escreva - para proteger devic inteiro
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado da fábrica com CCE. Para a CCE exigida mínima, veja a gestão do erro.
• O bloco 0 exige 1 CCE do bocado se PROGRAM/ERASE CY? os cles são menos de 1000
• A RESTAURAÇÃO (FFh) exigiu como o primeiro comando após o prisioneiro de guerra? er-em
• Método alternativo da iniciação do dispositivo (Nand_In? ele) após o poder acima (fábrica do contato)
• Operações do movimento dos dados internos apoiadas dentro do plano de que os dados são lidos
• Qualidade e confiança
– Retenção dos dados: 10 anos
– Resistência: 100.000 ciclos de PROGRAM/ERASE
• Escala da tensão de funcionamento
– VCC: 2.7-3.6V
– VCC: 1.7-1.95V
• Temperatura de funcionamento
– Anúncio publicitário: 0°C a +70°C – industrial (a TI): – 40ºC a +85ºC
– Industrial automotivo (AIT): – 40°C a +85°C
– Automotivo (AAT): – 40°C a +105°C
• Pacote – 48 tipo do pino TSOP - 1, CPL2 – 63 bola VFBGA
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