Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :10000pcs pelo mês
Prazo de entrega :3-5 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :450pcs
Tipo :Transistor de IGBT
Descrição :Parada de campo dos transistor 600V 20A de IGBT
Pacote :Tubo
Configuração :Único
Envio perto :DHL \ UPS \ Fedex \ cargo do EMS \ HK \ TNT
Prazo de execução :dias 2-3working
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Parada de campo 165W dos transistor de poder 600V de FGH20N60SFD IGBT 20A através do furo
Descrição Usar a tecnologia nova da parada de campo IGBT, na nova série do semicondutor de parada de campo IGBTs oferece
desempenho o melhor para carregadores automotivos, inversor, e outras aplicações onde baixa condução
e as perdas de comutação são essenciais
Características • Capacidade atual alta
• Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 2,2 V @ IC = 20 A
• Impedância entrada alta
• Interruptor rápido
• Qualificado às exigências automotivos de AEC−Q101 (FGH20N60SFDTU−F085)
• Estes dispositivos são Pb−Free e são RoHS complacente
Aplicações • Carregadores automotivos, conversores, auxiliares de alta tensão
• Inversores, PFC, UPS Especificações
Atributo de produto
Valor de atributo
onsemi
Categoria de produto:
Transistor de IGBT
Si
TO-247AB-3
Através do furo
Único
600 V
2,2 V
- 20 V, + 20 V
40 A
165 W
- 55 C
+ 150 C
FGH20N60SFD
Tubo
Corrente de coletor contínua CI máxima:
40 A
Altura:
20,6 milímetros
Comprimento:
15,6 milímetros
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Retorno garantia
Retorno
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