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Transistor de poder alto IKW25N120T2 da aspereza IGBT K25T1202 1200V 25A

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Transistor de poder alto IKW25N120T2 da aspereza IGBT K25T1202 1200V 25A

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Number modelo :IKW25N120T2
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacidade da fonte :20000pcs pelo mês
Prazo de entrega :dias 3-5work
Detalhes de empacotamento :240pcs
Tipo :transistor do igbt
Descrição :Transistor DuoPack DE PEQUENAS PERDAS 1200V 25A de IGBT
Envio perto :DHL \ UPS \ Fedex
Prazo de execução :dias 2-3working
Poder - máximo :349 W
Montando o estilo :Através do furo
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IKW25N120T2,1200 V, 25 Um IGBT discreto com o diodo antiparalelo no pacote TO-247

Transistor bipolares isolados do transistor IKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A Igbt da porta

Descrição

1200 V, 25 Um IGBT discreto com o diodo antiparalelo no pacote TO-247

Tecnologia da parada de campo da porta da trincheira da característica de Infineon 1200V Gen8 IGBTs entregada no padrão do setor

Pacotes TO-247 para fornecer o desempenho da melhor-em-classe para aplicações industriais e de poupança de energia.

A tecnologia Gen8 oferece umas características mais macias da volta-fora ideais para aplicações da movimentação do motor, minimizando

dv/dt para reduzir o IEM, e a sobretensão, confiança crescente e aspereza. Infineon 1200V Gen8

IGBTs tem avaliações atuais de 8A até 60A com VCE típico (SOBRE) de 1.7V, e procurar um caminho mais curto a avaliação

de 10µs para reduzir a dissipação de poder, tendo por resultado a densidade de poder e o vigor aumentados. Utilização fina

tecnologia da bolacha, 1200V Gen8 IGBTs para entregar a resistência térmica melhorada e a junção máxima

temperatura até +175°C.

Transistor de poder alto IKW25N120T2 da aspereza IGBT K25T1202 1200V 25A

Características

A mais baixa gota de VCEsat para mais baixas perdas da condução

Baixas perdas de comutação

Capacidade de comutação paralela fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo em VCEsat

O emissor antiparalelo da recuperação muito macio, rápido controlou o diodo

Aspereza alta, comportamento estável da temperatura

Baixas emissões do IEM

Baixa carga da porta

Distribuição apertada mesma do parâmetro

Transistor de poder alto IKW25N120T2 da aspereza IGBT K25T1202 1200V 25A

Aplicações

 

Aparelhos eletrodomésticos

Controlo do motor e movimentações

Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)

Transporte Período de entrega

 
Para as peças do em-estoque, as ordens são calculadas para enviar para fora em 3 dias.
Uma vez que enviado, calculado prazo de entrega depende do abaixo   portadores que você escolheu:
DHL expresso, 3-7 dias úteis.
Comércio eletrónico de DHL, 12-22 dias úteis.
Prioridade internacional de Fedex, 3-7 dias úteis
EMS, 10-15 dias úteis.
Correio aéreo registrado, 15-30 dias úteis.
 

Taxas de envio

 

Após ter confirmado a ordem, nós avaliaremos os custos de envio   baseado no peso dos bens

 

Opção de envio

 

Nós fornecemos DHL, Fedex, EMS, SF expresso, e registrado     Transporte internacional do correio aéreo.

 

Seguimento do transporte

 

Nós notificá-lo-emos que pelo e-mail com número de referência peça uma vez   é enviado.

 

Retorno
garantia

Retorno

 

Os retornos são aceitados normalmente quando terminados dentro de 30   dias da data da expedição. As peças devem ser não utilizadas e dentro   empacotamento original. O cliente tem que tomar a carga para   transporte.

 

Garantia

 

Todas as compras de Retechip vêm com um dinheiro-para trás de 30 dias   a política do retorno, esta garantia não se aplicará a nenhum artigo de onde   os defeitos foram causados pelo conjunto impróprio do cliente,   falha pelo cliente seguir instruções, produto   operação da alteração, a negligente ou a imprópria

 

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Pagamento
 

 
T/T, Paypal, cartão de crédito inclui o visto, mestre, americano   Expresso.
 

 
 

 
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