Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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Conversores de uso geral da C.C. da C.C. do transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 RDS 550W

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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Conversores de uso geral da C.C. da C.C. do transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 RDS 550W

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Number modelo :IXTH200N10T
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :2pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacidade da fonte :7000pcs pelo mês
Prazo de entrega :dias 2-4work
Detalhes de empacotamento :450pcs
Tipo :Transistor do MOSFET
Descrição :MOSFET 200 ampères de 100V 5,4 RDS
Envio perto :DHL \ UPS \ Fedex
Prazo de execução :dias 2-3working
Poder - máximo :550W
Tempo de elevação :31 ns
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Transistor de uso geral IXTH200N10T 200A 100V 5,4 RDS 550W C.C.-C.C. Conversor

Descrição

O único MOSFET morre, avalancha avaliada, baixo Qg do modo do realce do N-canal

Os MOSFETs do poder da porta da trincheira de IXYS Gen1 são seridos idealmente para aplicações atuais altas da baixa tensão,

exigindo um R excessivamente baixoDS (SOBRE), permitindo muito a dissipação de baixa potência. Isto, combinado com

a temperatura de junção de funcionamento ampla, de -40°C a 175°C, faz-lhe candidatos apropriados

para aplicações do automóvel e outras aplicações de exigência similares em ambientes ásperos.

 

Conversores de uso geral da C.C. da C.C. do transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 RDS 550WConversores de uso geral da C.C. da C.C. do transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 RDS 550W

Características

• IXYS avançou o baixo processo de Qg

• Baixa carga e capacidades da porta - mais fáceis conduzir - interruptor mais rápido

• Pacotes de standard internacional

• Baixo RDS (sobre)

• Avaliado para o interruptor unclamped da carga indutiva (UIS) avaliou

• As colas Epoxy moldando encontram a classificação da inflamabilidade V-0 do UL 94

Aplicações

 

• Conversores de DC-DC

• Carregadores de bateria

• fontes do Comutar-modo e da alimentação do ressonante-modo

• Controlo do motor da C.A. dos interruptores inversores z da C.C.

• Controles da temperatura e da iluminação

Especificações

Atributo de produto Valor de atributo
Categoria de produto: MOSFET
Si
Através do furo
TO-247-3
N-canal
1 canal
100 V
200 A
5,5 mOhms
- 55 C
+ 175 C
Realce
HiPerFET
IXTH200N10
Tubo
Tipo: IXYS
Configuração: Único
Tempo de queda: 34 ns
Altura: 21,46 milímetros
Comprimento: 16,26 milímetros

 

Guia da compra

                                                                             
Transporte Período de entrega

 
Para as peças do em-estoque, as ordens são calculadas para enviar para fora em 3 dias.
Uma vez que enviado, calculado prazo de entrega depende do abaixo   portadores que você escolheu:
DHL expresso, 3-7 dias úteis.
Comércio eletrónico de DHL, 12-22 dias úteis.
Prioridade internacional de Fedex, 3-7 dias úteis
EMS, 10-15 dias úteis.
Correio aéreo registrado, 15-30 dias úteis.
 

Taxas de envio

 

Após ter confirmado a ordem, nós avaliaremos os custos de envio   baseado no peso dos bens

 

Opção de envio

 

Nós fornecemos DHL, Fedex, EMS, SF expresso, e registrado     Transporte internacional do correio aéreo.

 

Seguimento do transporte

 

Nós notificá-lo-emos que pelo e-mail com número de referência peça uma vez   é enviado.

 

Retorno
garantia

Retorno

 

Os retornos são aceitados normalmente quando terminados dentro de 30   dias da data da expedição. As peças devem ser não utilizadas e dentro   empacotamento original. O cliente tem que tomar a carga para   transporte.

 

Garantia

 

Todas as compras de Retechip vêm com um dinheiro-para trás de 30 dias   a política do retorno, esta garantia não se aplicará a nenhum artigo de onde   os defeitos foram causados pelo conjunto impróprio do cliente,   falha pelo cliente seguir instruções, produto   operação da alteração, a negligente ou a imprópria

 

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