Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacidade da fonte :6000 peças por mês
Prazo de entrega :dias 2-3work
Detalhes de empacotamento :600pcs
Tipo :Transistor de IGBT
Descrição :campo-parada IGBT da porta da trincheira de 600V 60A
Envio perto :DHL \ UPS \ Fedex
Prazo de execução :dias 2-3working
Poder - máximo :375W
Peso de unidade :1,340411 onças
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Campo-parada 650 V da porta da trincheira, 60 uma série de alta velocidade IGBT do HB
Características
• Temperatura de junção máxima: TJ = °C 175
• Série de comutação de alta velocidade
• Corrente minimizada da cauda
• Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 60 A
• Distribuição apertada do parâmetro
• Paralelização segura
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentou)
• Baixa resistência térmica
• Diodo antiparalelo da recuperação macia muito rápida
Aplicações
• Inversores fotovoltaicos
• Conversores de alta frequência
Descrição
Estes dispositivos são IGBTs desenvolvido usando uma estrutura proprietária avançada do fieldstop da porta da trincheira.
Estes dispositivos são parte das séries novas do HB de IGBTs, que representam um acordo o melhor
entre a condução e a perda de comutação para maximizar a eficiência de algum conversor de frequência.
Além disso, o coeficiente de temperatura levemente positivo de VCE (se sentou) e a distribuição muito apertada do parâmetro
resultado na operação de paralelização mais segura.
Especificações
Atributo de produto
Valor de atributo
STMicroelectronics
Categoria de produto:
Transistor de IGBT
Si
TO-247-3
Através do furo
Único
650 V
1,6 V
- 20 V, + 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGW60H65DFB
Tubo
Corrente de coletor contínua CI máxima:
60 A
Corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 250
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