Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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Transistor de poder sem chumbo IRFP90N20DPBF do Mosfet 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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Transistor de poder sem chumbo IRFP90N20DPBF do Mosfet 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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Number modelo :IRFP90N20DPBF
Lugar de origem :original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :12000pcs pela boca
Prazo de entrega :dias 2-3work
Detalhes de empacotamento :400PCS/REEL
Tipo :MOSFET
Descrição :MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
Pacote :TO-247-3
Empacotamento :Tubo & caixa
Garantia :90 dias após o envio
Envio perto :DHL \ UPS \ Fedex \ cargo do EMS \ HK \ TNT
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Transistor do MOSFET do transistor de poder IRFP90N20DPBF do Mosfet 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Aplicações

• Conversores de alta frequência de DC-DC

• Sem chumbo

Descrição

                                                                                                         

A família do MOSFET do IR de MOSFETs do poder utiliza os processos provados do silicone que oferecem a desenhistas um portfólio largo de

dispositivos para apoiar várias aplicações tais como os motores da C.C., os inversores, o SMPS, a iluminação, os interruptores da carga assim como a bateria

aplicações postas. Os dispositivos estão disponíveis em uma variedade de pacotes de superfície da montagem e do através-furo com indústria

pegadas padrão para a facilidade do projeto.

Transistor de poder sem chumbo IRFP90N20DPBF do Mosfet 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Características

                                                                                                              

• Baixa carga do Porta-à-dreno para reduzir-se comutar perdas

• Capacidade inteiramente caracterizada que inclui COSS eficaz para simplificar o projeto, (veja o App. Nota AN1001)

• Tensão e corrente inteiramente caracterizadas de avalancha

Especificações

                                                                                                       
Atributo de produto Valor de atributo
Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Si
Através do furo
TO-247-3
N-canal
1 canal
200 V
94 A
23 mOhms
- 30 V, + 30 V
1,8 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
580 W
Tubo
Configuração: Único
Tempo de queda: 79 ns
Transcondutância dianteira - minuto: 39 S
Altura: 20,7 milímetros
Comprimento: 15,87 milímetros
Tempo de elevação: 160 ns

Guia de troca

Transporte Período de entrega Para as peças do em-estoque, as ordens são calculadas para enviar para fora em 3 dias.
Uma vez que enviado, calculado prazo de entrega depende dos portadores que abaixo você escolheu:
DHL expresso, 3-7 dias úteis.
Comércio eletrónico de DHL, 12-22 dias úteis.
Prioridade internacional de Fedex, 3-7 dias úteis
EMS, 10-15 dias úteis.
Correio aéreo registrado, 15-30 dias úteis.
Taxas de envio Após ter confirmado a ordem, nós avaliaremos os custos de envio baseados no peso dos bens
Opção de envio Nós fornecemos DHL, Fedex, EMS, SF expresso, e o transporte internacional registrado do correio aéreo.
Seguimento do transporte Nós notificá-lo-emos pelo e-mail com número de referência uma vez que a ordem é enviada.

Retorno

garantia

Retorno Os retornos são aceitados normalmente quando terminados no prazo de 30 dias da data da expedição. As peças devem ser não utilizadas e no empacotamento original. O cliente tem que tomar a carga para o transporte.
Garantia Todas as compras de Retechip vêm com uma política do retorno do dinheiro-para trás de 30 dias, esta garantia não se aplicará a nenhum artigo onde os defeitos foram causados pela operação imprópria do conjunto, da falha pelo cliente seguir instruções, de produto da alteração, a negligente ou a imprópria do cliente
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