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STH315N10F7-2/TO-263-3/MOSFETs
Estes MOSFETs do poder do N-canal utilizam a tecnologia de STripFET F7 com uma estrutura aumentada da porta da trincheira que conduza à resistência muito baixa do em-estado, ao igualmente reduzir a carga interna da capacidade e da porta para o interruptor mais rápido e mais eficiente.
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| H2PAK-2 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 100 V | |
| 180 A | |
| 2,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 3,5 V | |
| 180 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 315 W | |
| Realce | |
| AEC-Q101 | |
| STripFET | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | STMicroelectronics |
| Configuração: | Único |
| Tempo de queda: | 40 ns |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de elevação: | 108 ns |
| Série: | STH315N10F7-2 |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 1000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | 1 N-canal |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora: | 148 ns |
| Tempo de atraso de ligação típico: | 62 ns |
| Peso de unidade: | 0,139332 onças |