HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED

Nós qualidade-somos orientados, princípio orientado ao serviço, entrega rápida, ponto de empacotamento original novo, mantemos promessas de ganhar o mercado, e a maioria dos usuários para criar um

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
3 Anos
Casa / Produtos / Dispositivos de semicondutor discretos /

CSD19538Q3A/MOSFET 100-V/MOSFET do poder de NexFET canal de N

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HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MissChen
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CSD19538Q3A/MOSFET 100-V/MOSFET do poder de NexFET canal de N

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Number modelo :CSD19538Q3A
Lugar de origem :Malásia
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :Contacte-nos
Prazo de entrega :No estoque
Detalhes de empacotamento :Padrão/novo/original
Vgs - tensão da Porta-fonte :- 20 V, + 20 V
Qg - carga da porta :4,3 nC
Paládio - dissipação de poder :2,8 W
Tempo de elevação :3 ns
Código da data :22+
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CSD19538Q3A/MOSFET 100-V/MOSFET do poder de NexFET canal de N

 

 Aplicações

• Poder sobre os ethernet (ponto de entrada)

• Equipamento da fonte do poder (PSE)

• Controlo do motor 3

 

Descrição

Este 100-V, 49 mΩ, FILHO MOSFET de um poder de 3,3 milímetros NexFET™ do × 3,3 do milímetro é projetado minimizar perdas da condução e reduzir a pegada da placa em aplicações do ponto de entrada.

 

Atributo de produto Valor de atributo
Texas Instruments
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-canal
1 canal
100 V
A 14,4
61 mOhms
- 20 V, + 20 V
3,2 V
4,3 nC
- 55 C
+ 150 C
2,8 W
Realce
NexFET
Carretel
Corte a fita
MouseReel
Tipo: Texas Instruments
Configuração: Único
Tempo de queda: 2 ns
Altura: 0,9 milímetros
Comprimento: 3,15 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de elevação: 3 ns
Série: CSD19538Q3A

Quantidade do bloco da fábrica:

2500
Subcategoria: MOSFETs
Tipo do transistor: 1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora: 7 ns
Tempo de atraso de ligação típico: 5 ns
Largura: 3 milímetros
Peso de unidade: 0,000963 onças

 

CSD19538Q3A/MOSFET 100-V/MOSFET do poder de NexFET canal de N

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