HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED

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Manufacturer from China
Dos Estados-activa
3 Anos
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Circuitos integrados discretos dos dispositivos de semicondutor SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 RF

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HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MissChen
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Circuitos integrados discretos dos dispositivos de semicondutor SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 RF

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Number modelo :SI4943CDY-T1-GE3
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :Contacte-nos
Prazo de entrega :No estoque
Detalhes de empacotamento :Padrão/novo/original
Parte # pseudônimos :SI4943CDY-GE3
Largura :3,9 milímetros
Comprimento :4,9 milímetros
Quantidade do bloco da fábrica :2500
Altura :1,75 milímetros
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SI4943CDY-T1-GE3/SOIC-8/semicondutores discretos

 

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Atributo de produto Valor de atributo
Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-canal
Canal 2
20 V
8 A
mOhms 19,2
- 20 V, + 20 V
3 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3,1 W
Realce
TrenchFET
SI4
Carretel
Corte a fita
MouseReel
Tipo: Semicondutores de Vishay
Configuração: Duplo
Altura: 1,75 milímetros
Comprimento: 4,9 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Quantidade do bloco da fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Largura: 3,9 milímetros
Parte # pseudônimos: SI4943CDY-GE3
Peso de unidade: 0,006596 onças

Circuitos integrados discretos dos dispositivos de semicondutor SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 RF

 

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