Categorias de Produtos

Inversor IGBT

[40]

IGBT de alta potência

[41]

MOSFET do poder superior

[41]

MOSFET de Super Junção

[49]

MOSFET de baixa tensão

[83]

MOSFET de alta tensão

[59]

Diodos de barreira de Schottky

[83]

Diodos de recuperação rápida

[50]

Baixo FV Schottky

[68]

Semicondutor de alta potência

[27]

MOSFET de carboneto de silício

[21]

SBD de carburo de silício

[21]

Contate

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Cidade:dongguan

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MrsQinqin

Ver detalhes de contato

Contate

SBD de carburo de silício de alta tensão para centro de dados

Pergunte o preço mais recente

Canal de Vídeo

Local de origem :China

Quantidade mínima de encomenda :Pergunte.

Condições de pagamento :T/T antecipadamente (EXW)

Capacidade de abastecimento :600KK/ano

Tempo de entrega :2-30 dias ((Depende da quantidade da encomenda)

Detalhes da embalagem :Tube+Carton

Tipo de dispositivo :Diodo de barreira Sic Schottky

Velocidade de comutação :Comutação de alta velocidade

Aplicações :SMPS, inversor solar, centro de dados, UPS

Benefícios :Requisitos de baixa dissipação de calor

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

SBD de carburo de silício de alta tensão para centro de dados

Características

·Recuperação inversa insignificante

·Corrente de alta tensão

·Coeficiente de temperatura positivo

·Frequência mais elevada

·Sem halogénio / compatível com a RoHS

Aplicações

·SMPS

·Inversor solar

·Centro de dados

·UPS

Benefícios

·Conmutação de alta velocidade

·Requisitos baixos de dissipação de calor

·Reduzir o tamanho e o custo do sistema

·Alta fiabilidade

SBD de carburo de silício de alta tensão para centro de dados

Inquiry Cart 0