MATERIAL DE CRISTAL DE KINHENG (SHANGHAI) CO., LTD
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O máximo da emissão larga situada em 550nm que permite que os Si-fotodiodos sejam usados para detectar a emissão. O uso de um par do scintillator-fotodiodo torna possível diminuir significativamente o tamanho do sistema de detecção (devido ao uso do fotodiodo em vez de PMT), fazê-lo sem fonte da fonte de alta tensão, e usar a detecção de sistemas nos campo magnèticos. A resistência de radiação alta (até 102GY)permite queCsI(SI)seja usadonadetecçãonuclear, média, daradiaçãoenotratamentoespecialalta-tensãodefísicaetc.asseguraaobtençãodescintillatorsdeCsI(SI)comumbaixoarrebol da tarde(menosde0,1%apósaSenhora5)paraousonainspeçãoenaimagem latentedasegurança.
Até agora nós podemos oferecer o método de Czochralski e os cristais do crescimento de Bridgman para encontrar a aplicação diferente, é amplamente utilizada na física do de alta energia, na detecção da radiação e na imagem latente da inspeção da segurança do medical&.
Propriedades:
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Densidade [g/cm3]
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4,51
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Ponto de derretimento [K]
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894
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Coeficiente da expansão térmica [K-1]
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54 x 10-6
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Plano da segmentação
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nenhuns
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Dureza (Mho)
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2
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Hygroscopic
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Levemente
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Comprimento de onda do máximo da emissão [nanômetro]
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550
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Abaixe a interrupção do comprimento de onda [o nanômetro]
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320
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R.I. no máximo da emissão
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1,79
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Tempo de deterioração preliminar [µs]
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1
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Arrebol da tarde (após 6ms) [%]
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0.5 - 5,0
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Rendimento claro [fotão/MeVγ]
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52- 56 x103
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Rendimento do fotoeletrão [% de NaI (Tl)] (raios de y)
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45
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