condição infravermelha emitindo-se infravermelha IC=100μA do fototransistor do módulo de Tranmitter IR do diodo 940nm, ² de Ee=0mW/cm

condição infravermelha emitindo-se infravermelha IC=100μA do fototransistor do módulo de Tranmitter IR do diodo 940nm, ² de Ee=0mW/cm

fototransistor do diodo emissor de luz de 5mm

1. Características:

1. pacote redondo do T-1 3/4 do padrão de 5mm.
2. Tempo de resposta rápido.
3. Sensibilidade alta da foto.
4. Capacidade de junção pequena.
5. O produto próprio permanecerá dentro da versão complacente de RoHS.

1. Descrições:

1. O 583PTD é um fototransistor sensível de alta velocidade e alto do silicone NPN em um pacote do padrão Φ5.
2. Devido a sua cola Epoxy preta, o dispositivo é combinado à luz visível e à radiação infravermelha.

1. Aplicações:

1. Sistema aplicado infravermelho.
2. Sistema de controlo automático Optoelectronic.
3. Interruptor Optoelectronic.
4. Câmera.
5. Impressora.
6. Contadores e classificadores.
7. Codificadores.
8. Movimentação de disco flexível.
9. Câmara de vídeo, fita e leitores de cartão.
10. Sensores de posição.

1. Avaliações máximas absolutas em Ta=25℃

   Parâmetros	Símbolo	Avaliação	Unidade
   Dissipação de poder	PD	75	mW
   Tensão do Coletor-emissor	VCEO	30	V
   Emissor-Coletor-tensão	VECO	5	V
   Corrente de coletor	MIMC	20	miliampère
   Temperatura de funcionamento	TOPR	-40 a +85	℃
   Temperatura de armazenamento	TSTG	-40 a +100	℃
   Temperatura de solda da ligação	SOLENOIDEDE T	260℃	℃

    

   Características óticas elétricas em Ta=25℃

   Parâmetros	Símbolo	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidade	Circunstância
   Tensão de divisão do Coletor-emissor	CEODA BV	30	---	---	V	MimC=100μA, ² de Ee=0mW/cm
   Tensão de divisão do Emissor-coletor	BVECO	5	---	---	V	ISTO É =100μA, ² de Ee=0mW/cm
   Tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE(SAT)	---	---	0,40	V	MimC=0.70mA, Ee=1mW/cm2
   Corrente escura de coletor	MIMCEO	---	---	100	nA	² de Ee=0mW/cm, VCE=20V
   Corrente de coletor do Em-estado	MIMC(SOBRE)	0,70	2,00	---	miliampère	² de Ee=1mW/cm, VCE=5V
   Tempo de elevação ótico (10% 90%)	TR	---	15	---	μs	VCE=5V, MimC=1mA, RL=100Ω
   Tempo de queda ótico (90% 10%)	TF	---	15	---
   Ângulo da recepção	2θ1/2	---	30	---	Grau
   Comprimento de onda da sensibilidade máxima	λP	---	940	---	nanômetro
   Soou da largura de banda espectral	λ0.5	400	---	1100	nanômetro