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O comprimento de onda 940nm IR da eletrônica 5mm do diodo emissor de luz conduziu o emissor/fototransistor infravermelho
fototransistor do diodo emissor de luz de 5mm
Parâmetros | Símbolo | Avaliação | Unidade |
Dissipação de poder | Paládio | 75 | mW |
Tensão do Coletor-emissor | VCEO | 30 | V |
Emissor-Coletor-tensão | VECO | 5 | V |
Corrente de coletor | IC | 20 | miliampère |
Temperatura de funcionamento | TOPR | -40 a +85 | ℃ |
Temperatura de armazenamento | TSTG | -40 a +100 | ℃ |
Temperatura de solda da ligação | TSOL | 260℃ | ℃ |
Características óticas elétricas em Ta=25℃
Parâmetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade | Circunstância |
Tensão de divisão do Coletor-emissor | BVCEO | 30 | --- | --- | V |
IC =100μA, ² de Ee=0mW/cm |
Tensão de divisão do Emissor-coletor | BVECO | 5 | --- | --- | V |
IE =100μA, ² de Ee=0mW/cm |
Tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (SAT) | --- | --- | 0,40 | V |
IC =0.70mA, Ee=1mW/cm2 |
Corrente escura de coletor | ICEO | --- | --- | 100 | nA |
² de Ee=0mW/cm, VCE =20V |
Corrente de coletor do Em-estado | IC (SOBRE) | 0,70 | 2,00 | --- | miliampère |
² de Ee=1mW/cm, VCE =5V |
Tempo de elevação ótico (10% 90%) | TR | --- | 15 | --- | μs |
VCE =5V, IC =1mA, RL =1000Ω |
Tempo de queda ótico (90% 10%) | TF | --- | 15 | --- | ||
Ângulo da recepção | 2θ1/2 | --- | 10 | --- | Grau | |
Comprimento de onda da sensibilidade máxima | λP | --- | 940 | --- | nanômetro | |
Soou da largura de banda espectral | λ0.5 | 700 | --- | 1200 | nanômetro |
Dimensão emitindo-se infravermelha do pacote do diodo: