DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

Fabricante profissional do diodo emissor de luz de China Sobre 10 anos de experiências da produção do diodo emissor de luz Suficiente fonte, inteiramente qualidade assegurada

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
9 Anos
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O comprimento de onda 940nm IR da eletrônica 5mm conduziu o emissor/diodo emissor de luz infravermelho do fototransistor

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DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrChen
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O comprimento de onda 940nm IR da eletrônica 5mm conduziu o emissor/diodo emissor de luz infravermelho do fototransistor

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Número de modelo :DL-583PTDA-1PTD10
Lugar de origem :China (continente)
Quantidade de ordem mínima :10.000 pcs
Termos do pagamento :Transferência telegráfica adiantado (TT avançado, T/T)
Capacidade da fonte :15,000,000pcs pelo dia
Tempo de entrega :5-7 dias de trabalho após receberam seu pagamento
Detalhes de empacotamento :Dimensões pela unidade: 0,28 × do × 0,2 0,13 medidores • Peso pela unidade: 3,5 quilogramas • Unid
Nome do produto :Fototransistor do diodo emissor de luz
Diâmetro :MERGULHO 5mm
Cor emissora :Fototransistor
Comprimento de onda máximo da emissão :940nm
Chip Material :Silicone
Tipo da lente :Água clara
Tensão dianteira @20ma :1.1-1.4V
Ângulo de visão :50 graus
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O comprimento de onda 940nm IR da eletrônica 5mm do diodo emissor de luz conduziu o emissor/fototransistor infravermelho

 

fototransistor do diodo emissor de luz de 5mm

  1. Características:
  1. pacote T-1 3/4 padrão redondo de 5mm.
  2. Tempo de resposta rápido.
  3. Sensibilidade alta da foto.
  4. Capacidade de junção pequena.
  5. O produto próprio permanecerá dentro da versão complacente de RoHS.

 

  1. Descrições:
  1. O 583PTD é um fototransistor sensível de alta velocidade e alto do silicone NPN em um pacote Φ5 padrão.
  2. Devido a sua cola Epoxy preta, o dispositivo é combinado à luz visível e à radiação infravermelha.

 

  1. Aplicações:
  1. Sistema aplicado infravermelho.
  2. Sistema de controlo automático Optoelectronic.
  3. Interruptor Optoelectronic.
  4. Câmera.
  5. Impressora.
  6. Contadores e classificadores.
  7. Codificadores.
  8. Movimentação de disco flexível.
  9. Câmara de vídeo, fita e leitores de cartão.
  10. Sensores de posição.

 

 

  1. Avaliações máximas absolutas em Ta=25℃
Parâmetros Símbolo Avaliação Unidade
Dissipação de poder Paládio 75 mW
Tensão do Coletor-emissor VCEO 30 V
Emissor-Coletor-tensão VECO 5 V
Corrente de coletor IC 20 miliampère
Temperatura de funcionamento TOPR -40 a +85
Temperatura de armazenamento TSTG -40 a +100
Temperatura de solda da ligação TSOL 260℃
 

Características óticas elétricas em Ta=25℃

Parâmetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade Circunstância
Tensão de divisão do Coletor-emissor BVCEO 30 --- --- V

IC =100μA,

² de Ee=0mW/cm

Tensão de divisão do Emissor-coletor BVECO 5 --- --- V

IE =100μA,

² de Ee=0mW/cm

Tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (SAT) --- --- 0,40 V

IC =0.70mA,

Ee=1mW/cm2

Corrente escura de coletor ICEO --- --- 100 nA

² de Ee=0mW/cm,

VCE =20V

Corrente de coletor do Em-estado IC (SOBRE) 0,70 2,00 --- miliampère

² de Ee=1mW/cm,

VCE =5V

Tempo de elevação ótico (10% 90%) TR --- 15 --- μs

VCE =5V,

IC =1mA,

RL =1000Ω

Tempo de queda ótico (90% 10%) TF --- 15 ---
Ângulo da recepção 2θ1/2 --- 10 --- Grau  
Comprimento de onda da sensibilidade máxima λP --- 940 --- nanômetro  
Soou da largura de banda espectral λ0.5 700 --- 1200 nanômetro  
 

 

Dimensão emitindo-se infravermelha do pacote do diodo:

O comprimento de onda 940nm IR da eletrônica 5mm conduziu o emissor/diodo emissor de luz infravermelho do fototransistor 

 
E-mail: facebook@doublelight.com.cn
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