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A exposição de diodo emissor de luz quádrupla SMD ultra vermelho do dígito de 0,39 polegadas indica a folha de dados técnica
Exposição de diodo emissor de luz ultra vermelha do dígito de 0,39 polegadas SMD
Características:
Descrições:
Aplicações:
Guia da seleção do dispositivo:
Modelo não. | Material da microplaqueta | Cor da fonte | Descrição |
DL4-PCB391CSRB | InGaN | Ultra vermelho | Cátodo comum |
DL4-PCB391ASRB | Ultra vermelho | Ânodo comum |
Quadruplique avaliações máximas absolutas de exposição de diodo emissor de luz do dígito de 0,39 polegadas SMD em Ta=25℃
Parâmetros | Símbolo | Máximo. | Unidade |
Dissipação de poder (pelo segmento) | Paládio | 65 | mW |
Corrente dianteira máxima (pelo segmento) | IFP | 100 | miliampère |
Corrente dianteira contínua (pelo segmento) | SE | 25 | miliampère |
Derating linear de 50℃ | 0,4 | mA/℃ | |
Tensão reversa | VR | 5 | V |
Variação da temperatura de funcionamento | Topr | -40℃ a +80℃ | |
Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | -40℃ a +85℃ | |
Temperatura de solda | Tsld | 260℃ por 5 segundos |
Quadruplique avaliações máximas absolutas de exposição de diodo emissor de luz do dígito de 0,39 polegadas SMD em Ta=25℃
Parâmetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade | Condição de teste |
Intensidade luminosa | IV | 5,00 | 10,00 | --- | mcd | IF=10mA (nota 1) |
Intensidade luminosa | 3,80 | 7,30 | --- | |||
Relação de harmonização da intensidade luminosa | Mimv-m | --- | --- | 2:1 | IF=10mA | |
Comprimento de onda máximo da emissão | λp | --- | 632 | --- | nanômetro | IF=20mA |
Comprimento de onda dominante | λd | --- | 624 | --- | nanômetro | IF=20mA (nota 2) |
Linha espectral Metade-largura | △λ | --- | 20 | --- | nanômetro | IF=20mA |
Tensão dianteira | VF | 1,80 | 2,00 | --- | V | IF=20mA |
Corrente reversa | IR | --- | --- | 100 | µA | VR=5V |
Notas:
0,39 dimensões do pacote da exposição de diodo emissor de luz do dígito de SMD:
DL4-PCB391CSRB
DL4-PCB391AUAB