DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
Fabricante profissional do diodo emissor de luz de China Sobre 10 anos de experiências da produção do diodo emissor de luz Suficiente fonte, inteiramente qualidade assegurada
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GaAlAs 5mm redondos com o infravermelho da flange que emite-se o comprimento de onda máximo 850nm da emissão do diodo
diodo emitindo-se infravermelho 940nm de 5mm
Características:
Tempo de resposta rápido
Sensibilidade alta da foto
Capacidade de junção pequena
O Pb livra
Este produto próprio permanecerá dentro da versão complacente de RoHS.
Detalhes do produto:
Material da microplaqueta: Silicone
Cor da lente: preto
Tensão reversa: 32V
tensão do Aberto-circuito: 0.39V
Procurar um caminho mais curto a corrente: 35μA
Inverta a corrente clara: 35
Ângulo de visão: 80°
Descrição:
características conduzidas infravermelhas de 5MM:
Ligações de uso geral.
2. Eficiência elevada.
3. Alta intensidade.
4. Consumo da baixa potência.
5. RoHS complacente.
6. Tamanho de 3mm a 10mm
7. Ightness padrão e super
8. Vário estilo da forma e da cabeça
9. Variação da temperatura de funcionamento larga
10. Vasta gama de seleção de cor
aplicações conduzidas infravermelhas de 5MM:
1. Equipamento de Phtographing
2. câmaras de vigilância
3. controlador remoto
4. outras aplicações especiais
| Parâmetros | Símbolo | Máximo. | Unidade |
| Dissipação de poder | Paládio | 100 | mW |
|
Corrente dianteira máxima |
IFP | 1,00 | A |
| Corrente dianteira | SE | 50 | miliampère |
| Tensão reversa | VR | 5 | V |
| Variação da temperatura de funcionamento | Topr | -40℃ a +80℃ | |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | -40℃ a +85℃ | |
| Temperatura de solda | Tsld | 260℃ por 5 segundos | |
Características óticas elétricas em Ta=25℃
| Parâmetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade | Condição de teste |
| Intensidade brilhante (nota 1) * | EE | 20,0 | 25,0 | --- | mW/sr | IF=20mA |
| --- | 50,0 | --- | MimF=50mA, tp=100µs, tp/T=0.01 | |||
| Ângulo de visão (nota 2) * | 2θ1/2 | --- | 45 | --- | Grau | IF=20mA |
| Comprimento de onda máximo da emissão | λp | --- | 940 | --- | nanômetro | IF=20mA (nota 3) |
| Largura de banda espectral | △λ | --- | 50 | --- | nanômetro | IF=20mA |
| Tensão dianteira | VF | 0,80 | 1,20 | 1,50 | V | IF=20mA |
| --- | 1,50 | 1,60 | MimF=50mA, tp=100µs, tp/T=0.01 | |||
| Corrente reversa | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |