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1 - 10 Resultados para gate bipolar transistor A partir de 32681 Produtos
IKW40N65H5 isolou os transistor bipolares 650V 74A 250W do transistor IGBT da porta
IKW40N65H5 IKW25N120T2 IHW20N120R5 IKW50N60H3 isolou o transistor bipolar da porta Aplicações •Solarconverters •Uninterruptiblepowersupplies •...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Sala L, 23° andar, B de construção, Duhui 100, Zhonghang Rd, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, Guangdong
IKW40N120T2 isolou o transistor bipolar IGBT 40A 1200V 480W da porta para conversores
IKW40N120T2 IKW40N120CS6XKSA1 IKW50N65H5 IKA10N65ET6 isolou o transistor bipolar da porta Aplicações Conversores de frequência Fonte de alimenta...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Transistor bipolar isolado FGH40N60SFD da porta
FGH40N60SFD FGH60N60SFDTU FGH40N120ANTU FGH40N65UFDTU isolou o transistor bipolar da porta Aplicações • Carregadores automotivos, conversores, aux...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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STGW80H65DFB isolou o transistor bipolar 650V 80A 469W do transistor IGBT da porta
STGW80H65DFB isolou transistor bipolares do transistor 650V 80A 469W IGBT da porta Aplicações • Inversores fotovoltaicos • Conversores de alta fr...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo
Transistor bipolar isolado da porta com diodo antiparaleloPorta de silicone do Realce-modo do N-canal IGBT & DIODO EM TO-247 12 A @ 90°C 20 A @...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
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Sala 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Canal bipolar isolado módulo do silicone N do transistor da porta do tiristor GT20J101
GT20J101 TOSHIBA isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta Aplicações de comutação do poder superior • A ó geração • Realce-modo • Alta velocidade: tf = 0,30 µs (máximos) • Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos) Característica Símbolo Avaliação Unidade tensão do Coletor-emissor VCES 600 V tensão do Porta-emissor VGES +-20 V C.C. da corrente de coletor IC...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN que CONSTRÓI A ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG de No.1 SHENHUA, CHINA
Canal ultrarrápido do transistor N de IGBT, transistor bipolar isolado da porta com construído no diodo
N-canal ultrarrápido do transistor de G40N60UFD IGBT com construído no diodo 600V 40A 160W, descrições de TO-3P: A série do UFD de Fairchild de transistor bipolares da porta Insulated (IGBTs) fornece a baixa condução e perdas de comutação. A série de UFD é projetada para aplicações tais como o controlo do motor e os inversores gerais onde o interruptor de alta velocidade é uma caract...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sala 1120, assoalho 11rd, construção nova de Ásia Guoli, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, província de Guangdong China, fecho de correr: 518031
TRANSISTOR BIPOLAR ISOLADO transistor da PORTA do Mosfet do poder de GP4068D
IRGP4068DPbF IRGP4068D-EPbF TRANSISTOR BIPOLAR ISOLADO DA PORTA COM DIODO VF ULTRA-BAIXO PARA AQUECIMENTO DA INDUÇÃO E APLICAÇÕES SUAVE DO SWITC...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Apresentar “gate bipolar transistor”
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