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transistor de poder superior 28V do RF dos FETs de 700-1000MHz LDMOS 260W com proteção integrada do ESD

China transistor de poder superior 28V do RF dos FETs de 700-1000MHz LDMOS 260W com proteção integrada do ESD on sale
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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Fornecedor verificado
Assoalho 4, construindo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, província de Guangdong, China

Pacote de alta tensão do transistor de poder TIP42C de Npn do circuito do interruptor 100V 6A TO220

China Pacote de alta tensão do transistor de poder TIP42C de Npn do circuito do interruptor 100V 6A TO220 on sale
Os transistor do MOSFET do transistor de poder de TIP42C PNP 100V 6A TO-220 para a descrição do circuito TIP41C TIP42C do interruptor Os TIP41C são um transistor de poder baixo da tecnologia NPN da ilha no pacote TO-220 plástico que fazem este dispositivo apropriado para audio, em aplicações lineares e comutando do poder. O tipo complementar de PNP é TIP42C caracteriza do hFE alto da veloci...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sala 1120, assoalho 11rd, construção nova de Ásia Guoli, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, província de Guangdong China, fecho de correr: 518031

O transistor de poder alto NPN do Mosfet do desempenho do ganho Darlington TIP122 ROHS aprovou

China O transistor de poder alto NPN do Mosfet do desempenho do ganho Darlington TIP122 ROHS aprovou on sale
O transistor de poder TIP120 dos transistor TIP122 Darlington NPN 100V 5A 2000mW TO220 do MOSFET, TIP121, TIP122 TIP125, TIP126, descrição TIP127 os dispositivos é fabricado na tecnologia planar com “disposição da ilha baixa” e configuração monolítica de Darlington. Os transistor resultantes mostram o desempenho alto excepcional do ganho acoplados com tensão de saturação muito baixa...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sala 1120, assoalho 11rd, construção nova de Ásia Guoli, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, província de Guangdong China, fecho de correr: 518031
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