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Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252
Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252 DESCRIÇÃO do transistor do canal de P A trincheira avançada dos...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor do nível da lógica do bloco de TO-220-3L/transistor de alta tensão 100V
Transistor do nível da lógica do bloco de TO-220-3L/transistor de alta tensão 100V Aplicações niveladas do transistor da lógica Interrupto...
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Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V
MOSFET complementar de HXY4616 30V Descrição Os usos HXY4616 avançados trench a tecnologia ao RDS provideexcellent (SOBRE) e à baixa carga...
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Transistor de poder de alta tensão da frequência ultraelevada do transistor do Mosfet do OEM/AP10H03DF
Transistor de poder de alta tensão da frequência ultraelevada do transistor do Mosfet do OEM/AP10H03DF Descrição de alta tensão do transistor do...
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Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252
Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252 Tipos atuais altos do transistor Os MOSFETs podem ser...
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Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252
Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252 DESCRIÇÃO do transistor do canal de P A trincheira avançada dos...
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Transistor do nível da lógica do bloco de TO-220-3L/transistor de alta tensão 100V
O transistor do nível da lógica do bloco de TO-220-3L/aplicações de alta tensão do transistor do nível da lógica do transistor 100V descrição automotivo comuta, do fanfarrão e do transistor do nível da lógica das aplicações dos inversores solares pequenos síncronos dos Poder-Sobre-ethernet das fontes de alimentação do modo do interruptor de controlo do motor das fontes de alimenta...
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Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V
A descrição complementar do MOSFET de HXY4616 30V O HXY4616 usa tecnologia avançada da trincheira ao RDS provideexcellent (SOBRE) e à baixa carga da porta. Ideal dos configurationis do MOSFET do canal de Thiscomplementary N e de P para baixas aplicações do inversor da tensão entrada. Características elétricas do N-canal (T=25°C salvo disposição em contrário) A. O valor de RθJA é med...
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Transistor de poder de alta tensão da frequência ultraelevada do transistor do Mosfet do OEM/AP10H03DF
Descrição de alta tensão de alta tensão do transistor do Mosfet do transistor de poder da frequência ultraelevada do transistor do Mosfet do OEM/AP10H03DF: O AP10H03DF é os MOSFETs do N-ch da trincheira do desempenho o mais alto com densidade de pilha alta extrema, que fornecem RDSON excelente e carga da porta para a maioria das aplicações pequenas do interruptor de poder e do interruptor...
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Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252
O transistor atual alto de AP30N10D, tipos atuais altos MOSFETs do transistor do transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252 pode ser de tipos diferentes, incluindo: Modo de prostração: Normalmente SOBRE. Aplicar o VGS desligá-lo-ia. Modo do realce: Normalmente FORA. Aplicar o VGS girá-lo-ia SOBRE. MOSFETs do N-canal: tensões e correntes positivas. MOSFETs do P-canal: tensões e corrente...
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