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1 - 10 Resultados para npn type transistor A partir de 18740 Produtos
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPN TRANSISTORES TIP31C transistores do tipo npn TIP31C TRANSISTORES TO-220-3
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPN TRANSISTORES TIP31C NPN TIPO TRANSISTOR TIP31C TRANSISTORES para 220-3 3 AMPEROS TRANSISTORES de potência SILICÃO comp...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Sala L, 23° andar, B de construção, Duhui 100, Zhonghang Rd, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, Guangdong
Tipo de superfície transistor do transistor BC847B SOT-23 NPN da montagem SMD
Transistor de superfície da montagem de BC847B SOT-23 NPN Tipo de superfície transistor do transistor BC847B SOT-23 NPN da montagem S...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
Tipo transistor de S9013 SOT-23 Npn complementar às linearidades excelentes de S9012 HFE
Transistor de S9013 SOT-23 NPN complementar a S9012 S9013 SOT-23 Datasheet.pdf CARACTERÍSTICAS Elogioso a S9012 Linearidades excelentes do hFE MARCAÇÃO: J3 AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TA=25℃ salvo disposição em contrário) Parâmetro Símbolo Valor Unidades Tensão da Coletor-base VCBO 40 V Tensão do Coletor-emissor VCEO 25 V Tensão da Emissor-base VEBO 5 V Corrente de coletor - contínua IC 0,5 Dissipação do...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
BUV20 transistor do silicone NPN PNP do ST 40A 300V 250W
BUV20 transistor atual alto TO-3 do silicone do ST 40A NPN 300V 250W Características: PN: BUV20 Tipo: transistor atual alto do sili...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN que CONSTRÓI A ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG de No.1 SHENHUA, CHINA
Frequência alta da transição dos transistor de 2SC4793 NPN PNP através do furo 100 megahertz
Transistor de poder do silicone NPN dos transistor de 2SC4793 NPN PNP DESCRIÇÃO ·Com pacote de TO-220F ·Complemento para datilografar 2SA1837 ·Frequência alta da transição APLICAÇÕES ·Aplicações do amplificador de potência ·Aplicações do amplificador da fase de motorista Atributo de produto Valor de atributo Estilo da montagem: Através do furo Polaridade do transistor: NPN Configuração: Único Tens...
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Canal do transistor de poder 6 do si NPN do transistor de interruptor do poder 6DI30A 120
Os transistor 30A de 6DI30A-120 NPN PNP, 1200V, 6 CANALIZAM, NPN, si, TRANSISTOR de PODER Características elétricas Coletor Atual-máximo (IC) 30A Coletor-emissor Tensão-máximo 1200V Configuração COMPLEXO Ganho-minuto atual da C.C. (hFE) 70A Queda Tempo-máxima (tf) 3000 Código JESD-30 R-PUFM-X17 Número de elementos 6 Número de terminais 17 Material do corpo do pacote PLASTIC/EPOXY Forma do pacote...
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Tipo de uso geral única configuração do transistor NPN da C.C. 0.15A de 2SD2227S 50V
Transistor de uso geral 50V 0.15A dos transistor de 2SD2227S NPN PNP TRANSISTOR de PODER MÉDIO (25V, 1.2V), TRANSISTOR DE USO GERAL (50V, 0.15A) Características 1) Ganho atual alto de C.C. 2) Alta tensão da emissor-base. (VCBO=12V) 3) Baixa tensão de saturação. (Tipo. VCE (sentado) =0.3V em IC/IB=50mA/5mA) Atributo de produto Valor de atributo Estilo da montagem: SMD/SMT Polaridade do transistor:...
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2SC2987 transistor de poder do silicone NPN, transistor de poder superior de 120W 20A
Transistor de poder do silicone NPN dos transistor de 2SC2987 NPN PNP DESCRIÇÃO ·Com pacote de TO-3PN ·Complemento para datilografar 2SA1227 ·Dissipação de poder superior APLICAÇÕES ·Para aplicações do amplificador de potência da frequência audio FIXAR DESCRIÇÃO DO PIN 1 base 2Collector; conectado a montar a base Emissor 3 Avaliações máximas absolutas (Ta=25℃) SÍMBOLO PARÂMETRO CIRCUNSTÂNCIAS...
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ÉBRIO 23 da montagem da superfície dos transistor 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolar PNP dos transistor de FMMT734TA NPN PNP (BJT) - montagem SOT-23-3 da superfície de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Características de BVCEO > de -100V contínuo alto da corrente de coletor de IC = de -800mA HFE do transistor de Darlington > 20k @ 100mA para o alto do ganho O ganho alto sustenta ao 5A da dissipação de poder 625mW Tipo complementar de Darlington NPN:...
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