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Semicondutores discretos dos transistor de BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNP

China Semicondutores discretos dos transistor de BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNP on sale
Semicondutores discretos de uso geral do transistor SMD SOT23 de BC846B 1B NPN Características• Baixo atual (máximo 100 miliampères)• Ba...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
Fornecedor verificado
FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN que CONSTRÓI A ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG de No.1 SHENHUA, CHINA

transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP

China transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP on sale
Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP Módulo de ECAD Símbolo, pegada & modelo 3D do PWB Ameaç...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
Fornecedor verificado
7F, F de construção, parque de ciência de Longjing, estrada de 335 Bulong, a comunidade do miliampère Antang, rua de Bantian, distrito de Longgang, Shenzhen, China

MMDT3946DW DUAL o transistor SOT-363 de NPN e de PNP para a amplificação da baixa potência

China MMDT3946DW DUAL o transistor SOT-363 de NPN e de PNP para a amplificação da baixa potência on sale
MMDT3946DW DUAL O TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 MMDT3946DW DUAL O ÉBRIO 363 do transistor de NPN e de PNP para a amplificação da baixa potência CARACTERÍSTICAS Pares complementares Um 3904-Type NPN Um 3906-Type PNP Planar Epitaxial morre construção Ideal para a amplificação e o interruptor da baixa potência AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TA=25℃ salvo disposição em contrário) Parâmetro Símbolo Valor Unidades...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Fornecedor verificado
Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China

Transistor obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP através da montagem do furo

China Transistor obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP através da montagem do furo on sale
Transistor bipolar PNP 30V 500mA 200MHz 625mW dos transistor de BC213L-C NPN PNP através do furo Amplificador do uso geral de PNP • Este dispositivo deisgned para o uso como amplificadores de uso geral e os interruptores que exigem correntes de coletor a 300mA. • Originário do processo 68. • Veja PN200 para características. Atributos de produto Selecione tudo Categorias Produtos de semicondutor...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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Agrupamento atual bipolar do poder 65W HFE dos transistor 100V 6A de TIP42C NPN PNP

China Agrupamento atual bipolar do poder 65W HFE dos transistor 100V 6A de TIP42C NPN PNP on sale
Transistor bipolar PNP 100V 6A 65W dos transistor de TIP42C NPN PNP (BJT) Características Dispositivos complementares do ■ PNP-NPN Série aumentada nova do ■ Velocidade de interruptor alta do ■ agrupamento do hFE do ■ linearidades melhoradas hFE do ■ Aplicações Circuitos do uso geral do ■ Amplificador audio do ■ Poder do ■ linear e interruptor Descrição O TIP41C é um transistor de poder baixo da...
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FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN que CONSTRÓI A ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG de No.1 SHENHUA, CHINA

Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB

China Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB on sale
Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W dos transistor de D45H8 NPN PNP (BJT) através do furo TO-220AB Transistor de poder complementares Características Tensão de saturação do coletor-emissor do ■ baixa Velocidade de interruptor rápida do ■ Aplicações Amplificador de potência do ■ Circuitos do interruptor do ■ Descrição Os dispositivos são fabricados na multi tecnologia planar epitaxial da baixa tens...
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ÉBRIO 23 da montagem da superfície dos transistor 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3

China ÉBRIO 23 da montagem da superfície dos transistor 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3 on sale
Transistor bipolar PNP dos transistor de FMMT734TA NPN PNP (BJT) - montagem SOT-23-3 da superfície de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Características   de BVCEO > de -100V  contínuo alto da corrente de coletor de IC = de -800mA HFE do transistor de Darlington > 20k @ 100mA para o  alto do ganho O ganho alto sustenta ao  5A  da dissipação de poder 625mW Tipo complementar de Darlington NPN:...
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Frequência alta da transição dos transistor de 2SC4793 NPN PNP através do furo 100 megahertz

China Frequência alta da transição dos transistor de 2SC4793 NPN PNP através do furo 100 megahertz on sale
Transistor de poder do silicone NPN dos transistor de 2SC4793 NPN PNP DESCRIÇÃO ·Com pacote de TO-220F ·Complemento para datilografar 2SA1837 ·Frequência alta da transição APLICAÇÕES ·Aplicações do amplificador de potência ·Aplicações do amplificador da fase de motorista Atributo de produto Valor de atributo Estilo da montagem: Através do furo Polaridade do transistor: NPN Configuração: Único Tens...
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transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP

China transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP on sale
Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP Módulo de ECAD Símbolo, pegada & modelo 3D do PWB Ameaç...
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