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Transistor planar Epitaxial do silicone do transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD
Transistor planar Epitaxial do silicone de S8550 SOT-89 0.5A PNP Transistor planar Epitaxial do silicone do transistor PNP de S8550 S...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Fornecedor verificado
Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
Tipo de superfície transistor do transistor BC847B SOT-23 NPN da montagem SMD
Transistor de superfície da montagem de BC847B SOT-23 NPN Tipo de superfície transistor do transistor BC847B SOT-23 NPN da montagem S...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Fornecedor verificado
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N canaliza os transistor de efeito de campo 10N60 do Mosfet 600V para fontes de alimentação comutadas do modo
transistor de efeito de campo do mosfet do canal de 10N60 600V n para fontes de alimentação comutadas do modo Folha de dados: CY-10N60F.pdf...
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
Sala 4005, assoalho 40th, quadrado de Saige, estrada norte NO.1002 de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
Canal plástico AP60N03DF do transistor de poder N do Mosfet para a proteção da bateria
O N-canal de AP60N03DF avançou o transistor de efeito de campo do poder do MOSFET do poder AP60N03DF.pdf Descrição O AP60N03DF usa tec...
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
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IPD075N03LG Transistor de canal N Mosfet TO-252
ISO9001.pdf IPD075N03LG é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes são as aplicações, conclusões e parâmetros deste transistor:Aplicação:Interrup...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 século huiduhuixuan, no. 3078, estrada média de Shennan, rua de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
Do canal de alta tensão do transistor AP50P03NF P do efeito de campo do MOSFET poder avançado
O P-canal de AP50P03NF avançou o transistor da alta tensão do efeito de campo do MOSFET do poder AP50P03NF.pdf Descrição O AP50P03...
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IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet
ISO9001.pdf O IPD082N10N3 é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes são suas aplicações, conclusões e parâmetros:Aplicação:Utilizado como inte...
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