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Transistor planar Epitaxial do silicone do transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD
Transistor planar Epitaxial do silicone de S8550 SOT-89 0.5A PNP Transistor planar Epitaxial do silicone do transistor PNP de S8550 S...
Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.
Fornecedor verificado
Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
Tipo de superfície transistor do transistor BC847B SOT-23 NPN da montagem SMD
Transistor de superfície da montagem de BC847B SOT-23 NPN Tipo de superfície transistor do transistor BC847B SOT-23 NPN da montagem S...
Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.
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Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
MOVIMENTOS do varistor de óxido metálico da proteção da sobretensão dos HEL MYG do CNR EPCOS HARRY KVR de ZOV VDR Tensão do varistor: 18~18...
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
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Sala 810, unidade 2, construção 5, shopping de Huixing, estrada No.1 de Dongsheng, dong de Zhongshan, cidade Dongguan de Shilong, GUANGDONG, NC 523326
IPD075N03LG Transistor de canal N Mosfet TO-252
ISO9001.pdf IPD075N03LG é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes são as aplicações, conclusões e parâmetros deste transistor:Aplicação:Interrup...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 século huiduhuixuan, no. 3078, estrada média de Shennan, rua de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet
ISO9001.pdf O IPD082N10N3 é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes são suas aplicações, conclusões e parâmetros:Aplicação:Utilizado como inte...
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IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252
ISO9001.pdf Aplicação:IPD80R1K4P7 é um transistor do MOSFET do N-canal de uso geral nos conversores de grande eficacia de DC-DC e nas aplicações da f...
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UL de comutação alto do transistor das perdas IGBT do poder IGBT da estabilidade da C.C. o baixo reconheceu
PrimePACK™ 2 1200 V, 600 módulo duplo da metade-ponte IGBT de A com TRENCHSTOP™ IGBT4, emissor controlou 4 o diodo, FF600R12IE4 que você foi reorientado dos resultados da busca. Não que você está procurando? Veja resultados para ‘FF600R12IE4. Compra FF600R12IE4 em linha da vista geral (alemão/inglês) EN/DEEN/CNEN/JA 02_04 | 2013-12-09 | pdf | 1,7 o MB PrimePACK™ 2 1200 V, 600 módul...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, província de Guangdong, China
IPD50N04S4L-08 Original brandnew de IC da microplaqueta do circuito integrado TO-252 não utilizado
ISO9001.pdf Aplicação:IPD50N04S4L-08 é um transistor de poder do MOSFET do N-canal de uso geral em circuitos de comutação de alta potência tais com...
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IPD90P04P4L-04 TO-252 IC Circuito Integrado em Motoristas
ISO9001.pdf Aplicação:O IPD90P04P4L-04 pode ser usado em fontes de alimentação de modo de comutação, controladores de motor e outros circuitos de comu...
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Original brandnew de IC da microplaqueta do circuito integrado de IPD031N06L3G TO-252 não utilizado
ISO9001.pdf Aplicação: IPD031N06L3G é um transistor de alta tensão do MOSFET amplamente utilizado em fontes de alimentação de comutação de alta potên...
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