Pedestais de grafite verticais, em forma de disco, de peça única com revestimento de SiC na superfície para equipamentos de epitaxia de silício
Crisóis de grafite de ultra-alta pureza para produção de carboneto de silício monocristalino
Acessórios especializados para processamento de semicondutores:
- Eletrodos de grafite, blocos de apoio e tampas de blindagem para implantação iônica
- Eletrodos de grafite para gravação por plasma
- Moldes, gabaritos de alta qualidade e dispositivos para encapsulamento de semicondutores
Componentes de processamento de alta temperatura:
- Crisóis de grafite, barcos e acessórios para aquecimento por indução
- Processamento de óxido de germânio e material semicondutor fundido por zona
- Aplicações de fusão de metais de alta pureza
- Aquecedores de grafite e tampas de isolamento térmico para processos Czochralski
Aquecedores e eletrodos de grafite de alta pureza para produção de safira pelo método HEM

Especificações Técnicas

Grau	Densidade Aparente (g/cm³)	Resistividade Elétrica (μΩ⋅m)	Resistência à Compressão (MPa)	Resistência à Flexão (MPa)	Dureza Shore	Teor de Cinzas (ppm)	Expansão Térmica (*10⁻⁶/°C)	Condutividade Térmica W/(m⋅K)	Módulo de Young (GPa)	Aplicações
CDI-S1	1.8	12.5	90	45	58	5	4.5	105	10	Semicondutor
CDI-S20	1.8	10	75	43	50	5	4.3	140	9	Semicondutor
CDI-S3	1.78	11	85	40	45	5	3.8	120	10	Semicondutor

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