Microplaqueta de memória Flash 4Kbit de FM24CL04B-GTR rapidamente 2 flash de série da relação de série FRAM do fio
Descrição
O FM24CL04B é uma memória 4-Kbit permanente que emprega um processo ferroelectric avançado. Uma memória de acesso aleatório ou um F-RAM ferroelectric são permanente e executam leem e escrevem similar a RAM. Fornece a retenção segura dos dados por 151 anos ao eliminar as complexidades, as despesas gerais, e os problemas da confiança do sistema-nível causados por EEPROM e por outras memórias permanentes. Ao contrário de EEPROM, o FM24CL04B executa para escrever operações na velocidade do ônibus. Nenhum escreva atrasos são incorridos. Os dados são redigidos à disposição da memória imediatamente depois de cada byte são transferidos com sucesso ao dispositivo. O ciclo seguinte do ônibus pode começar sem a necessidade para a votação dos dados. Além, o produto oferece substancial escreve a resistência comparada com outras memórias permanentes. Também, F-RAM exibe um poder muito mais baixo durante escreve do que EEPROM escrevem desde operações não exigem uma tensão de fonte de alimentação internamente elevado para escrevem circuitos. O FM24CL04B é capaz de apoiar 1014 ciclos de leitura/gravação, ou 100 milhão vezes escreve mais ciclos do que EEPROM. Estas capacidades fazem o ideal para aplicações da memória permanente, exigir de FM24CL04B frequente ou rápido escreve. Os exemplos variam do registro de dados, de onde o número escreve ciclos pode ser crítico, a exigir os controles industriais onde o longos escrevem a época de EEPROM podem causar a perda dos dados. A combinação de características permite uns dados mais frequentes que escrevem com menos despesas gerais para o sistema. O FM24CL04B fornece benefícios substanciais aos usuários da série (I2C) EEPROM como uma substituição da reunião informal do hardware. As especificações de dispositivo são garantidas sobre uma variação da temperatura industrial – de 40 C a +85 C.
Características
■memória de acesso aleatório 4-Kbit ferroelectric (F-RAM) logicamente
organizado como 512 o × 8
o trilhão da Alto-resistência 100 do ❐ (1014) leu/escreveu
❐ retenção de 151 dados do ano (veja a retenção e a resistência dos dados
na página 10)
O ❐ NoDelay™ escreve
Processo ferroelectric da alto-confiança avançada do ❐
■Rapidamente relação de série de 2 fios (I2C)
❐ até a frequência 1-MHz
O ❐ dirige a substituição do hardware para a série (I2C) EEPROM
O ❐ apoia sincronismos do legado para 100 quilohertz e 400 quilohertz
■Consumo da baixa potência
do ❐ 100 uma corrente ativa em 100 quilohertz
corrente à espera do A do ❐ 3 (tipo)
■Operação da tensão: VDD = 2,7 V a 3,65 V
■Temperatura industrial: – 40 C a +85 C
■pacote pequeno do circuito integrado do esboço de 8 pinos (SOIC)
■Limitação das substâncias perigosas (RoHS) complacentes
Aplicações
Industrial, comunicações & trabalhos em rede
