Tecnologia ltd da eletrônica de Shenzhen ATFU
Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD
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IRLR7843PbF IRLU7843PbF
Seleção do MOSFET do poder para conversores Não-isolados de DC/DC
Avaliações máximas absolutas
|
Parâmetro |
Máximo. |
Unidades |
|
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VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
± 20 |
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Identificação @ TC = 25°C |
Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V |
161f |
A |
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Identificação @ TC = 100°C |
Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V |
113f |
|
|
IDM |
Dreno pulsado c atual |
620 |
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Paládio @TC = 25°C |
Dissipação de poder máxima g |
140 |
W |
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Paládio @TC = 100°C |
Dissipação de poder máxima g |
71 |
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Fator Derating linear |
0,95 |
W/°C |
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TJ TSTG |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
-55 to+175 |
°C |
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Temperatura de solda, por 10 segundos |
300 (1.6mm do caso) |
l RDS muito baixo (sobre) em 4.5V VGS
l Ultra-baixa impedância da porta
l tensão e corrente inteiramente caracterizadas de avalancha
Aplicações
l conversores síncronos de alta frequência do fanfarrão para o poder do processador do computador
l conversores isolados alta frequência de DC-DC com correção síncrono para telecomunicações e o uso industrial
l sem chumbo