Tecnologia ltd da eletrônica de Shenzhen ATFU
Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD
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O MOSFET s do poder do ® da quinta geração HEXFET do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de interruptor rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.
O D2Pakéumpacotede superfíciedopoderdamontagemcapazdeobsequiosomorretamanhosatéHEX-4. Forneceacapacidadedopodero mais altoeomais baixopossívelnaresistênciaemtodo opacotede superfícieexistentedamontagem. OD2Pakéapropriadoparaaplicaçõesatuaisaltasdevidoasuabaixaresistênciainternadaconexãoepodedissipar-seaté2.0Wem umaaplicaçãode superfícietípicadamontagem.
A versão do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicação do perfil baixo.
Característica
l tecnologia de processamento avançada
l avaliação dinâmica de dv/dt
l 175°C que opera o emperature de T
l jejua interruptor
l inteiramente avalancha avaliada
l facilidade da paralelização
l exigências simples da movimentação
l sem chumbo
Pacote
