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Os MOSFETs avançados HEXFET® Power da International Rectifier utilizam técnicas avançadas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo pelos quais os MOSFET de potência HEXFET são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais e industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo de embalagem do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em todo o setor.