O H5AN8G6NDJR-XNC é um chip DDR4 Dynamic Random Access Memory (DRAM) produzido pela SK hynix.
Capacidade de armazenamento:
- Capacidade: 8Gb (ou seja, 1GB), obtida através da sua arquitetura 512Mx16.
Especificações técnicas:
- Tipo: SDRAM DDR4
- Velocidade: Dependendo das fontes, as velocidades podem variar, mas geralmente suporta transmissão de dados de alta velocidade.Mas, por favor, note que as velocidades específicas podem diferir devido a lotes de produtos ou ambientes de aplicação.
- Tensão de funcionamento: 1,2 V
Formulário da embalagem:
- Pacote: Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA), especificamente um pacote FBGA de 96 bolas.
Intervalo de temperatura:
- Temperatura de funcionamento: Dependendo das fontes, a gama de temperaturas pode variar ligeiramente.enquanto outros afirmam que as suas especificações de temperatura podem chegar de 0°C a +95°CIsto indica que pode funcionar estavelmente numa ampla gama de temperaturas ambientais.
Características ambientais:
- Compatível com as normas RoHS (Restricção de Substâncias Perigosas), indicando que reduz a utilização de substâncias nocivas durante a produção e cumpre os requisitos ambientais.
Outros parâmetros:
- Número do lote: em função da disponibilidade no mercado, os números dos lotes podem variar.
- Fabricante: SK hynix
Por favor, note que os parâmetros acima podem mudar devido a lotes de produtos, disponibilidade no mercado ou ambientes de aplicação específicos.Recomenda- se consultar a SK hynix diretamente ou os fornecedores relevantes..
Além disso, o desempenho dos chips DRAM DDR4 é influenciado por outros fatores, como parâmetros de tempo (por exemplo, latência CAS, atraso RAS-CAS), características de consumo de energia (por exemplo,Potência de funcionamentoEstes factores são descritos em mais pormenor na ficha de dados do chip ou nas especificações técnicas.
