Sistema de fusão por indução de transistores de poupança de energia Alta eficiência

Sistema de forno de fusão por indução de transistor de média frequência da China (terceira geração) com nova unidade dupla IGBT

                             China sistema de fusão por indução de transistores de economia de energia com alta eficiência

O forno elétrico de freqüência de módulo de unidade dupla IGBT de nova geração é actualmente homologado como o forno de freqüência média mais economizador de energia,Pode poupar 5% de consumo de energia superior ao de um forno ligado em série do tipo tiristor, porque rejeita o inductor de comutação de corrente dentro do forno elétrico de inversão de tiristor.

Para o forno elétrico de média frequência do módulo IGBT da Huarui, uma placa de acionamento aciona um módulo.assegurando que a sua fiabilidade é muito maior do que a dos últimos fornos de média frequência IGBT de tubo únicoMesmo que um curto-circuito, ignição, penetração de aço ou quebra de cabo de água devido à queima aconteça no forno, o IGBT não pode mais ser danificado.Resolvendo o problema de que todos os módulos IGBT do antigo tipo de transistor único foram danificados se uma parte estiver danificada , o que reduz consideravelmente os custos de manutenção.

Possui muitas vantagens, tais como durabilidade elevada, baixo ruído de funcionamento, alta capacidade de sobrecarga, não existem requisitos especiais para o ambiente de trabalho, operação simples e baixo custo de manutenção.

Características técnicas

1.IGBT é um complexo de transistor de potência (GTR) e transistor de efeito de potência (MOSFET), combina vantagens de GTR e SFT, por isso tem excelente desempenho.

2. IGBT unidade de alimentação de média frequência adota um tipo de circuito que conecta condensador inductor em forma em série ligada, devido ao inversor de frequência e modo de regulação de potência,A ponte do retificador está em estado descontrolado com um fator de potência superior a 0.97 e os harmônicos são baixos durante o funcionamento.

3Em comparação com o tiristor, o transistor IGBT não só pode controlar a condução, mas também pode controlar sua ação de desligamento à vontade, no entanto,O tiristor deve ser desligado passivamente e exigir tempo para terminar esta ação, o que faz com que o factor de potência do inversor do tipo de transistor IGBT seja muito maior (≥ 97%) e a tensão do forno muito maior também sob a mesma tensão de entrada ((380V), e a tensão do inversor IGBT seja de cerca de 2800V,No entanto, a tensão do inversor do tiristor tradicional é de apenas 750V e máxima 800V, de modo que a tensão do inversor é quatro vezes maior do que a do tipo tiristor, além disso, a perda de linha de fiação é baixa e 15% de energia pode ser economizada.

4Em comparação com o tiristor tradicional, a potência constante de saída é outra vantagem importante do IGBT de frequência de alimentação de média frequência e sistema de inversor de potência,A potência de saída constante aproximada é mantida durante todo o processo de fusão sem ser afetada pela quantidade de matéria-prima no interior do forno ou pela espessura da parede de revestimento do forno.Para o sistema tradicional de alimentação de média frequência do tiristor, o processo de aquecimento é afetado pela mudança de volume de indução magnética. Inicialmente, o poder de fusão é tão baixo que a velocidade de fusão não é rápida.A potência da fonte de alimentação do tiristor varia de acordo com o tempo de fusão e o volume de indução magnéticaA energia aumenta gradualmente de baixo valor para alto valor, reduzindo a utilização da capacidade do transformador e aumentando os custos de produção. , a partir deste ponto de vista, o tipo IGBT pode economizar energia em 3% a 5% ou mais.

Dados técnicos:

Fornecimento de energia do forno de fusão por indução, fonte de alimentação de frequência média do inversor ligado em série ao tiristor, um gabinete de alimentação impulsiona dois fornos

Vantagem acessória:

A tecnologia de forno de média frequência IGBT de nova geração é um tipo de tecnologia de controle que nossa empresa tem se dedicado à pesquisa e desenvolvimento desde 2017,está no nível internacional de liderançaEsta tecnologia foi desenvolvida com base no módulo IGBT de quinta geração da Infineon e tem uma importância revolucionária.